A kutatók jó ideje fejlesztenek egy olyan technológiát, amely nem is olyan sokára leválthatja a ma virágkorát élő flashmemóriákat, sőt más felhasználási területekre is benyomulhat. A Phase Change Memory (PCM) vagy az adatelérésre is utalva Phase Change Random Access Memory (PRAM) nevet viselő tároló hasonló elven működik, mint az írható optikai lemezek. Olyan anyagban kódolják ugyanis az adatokat, mely egy irányított melegítés-lehűlés ciklus során vagy amorf, vagy kristályos szerkezetet vesz föl, és ennek megfelelően nagy vagy kicsi lesz az elektromos ellenállása, ami alkalmas a digitális adattárolásra. A rövid ideig tartó és kis területre korlátozott felmelegítést itt persze nem lézerrel, hanem elektromos árammal végzik, és mivel csak az anyagszerkezet átalakításához kell energia, ezért a memória tartalma kikapcsolt állapotban is fennmarad.
Az Intel, a Samsung és egy az IBM köré szerveződött konzorcium egymástól függetlenül már 2006 második felében hírt adott PRAM chipek működő prototípusairól. A PRAM előnye, hogy cellái egyszerű felépítésűek, így nagyon jó ár/érték arányt képvisel, emellett adatsűrűsége is nagyobb – nemcsak a jelenlegi flashmemóriákhoz képest, de a gyakran titkos befutóként emlegetett FeRAM és MRAM memóriákhoz képest is. További jellemzői jelentősen függnek attól, hogy milyen kialakításban, milyen gyártástechnológiával készülnek. A Samsung tavaly NAND rendszerű, 32 gigabit kapacitású PRAM-ot mutatott be, amelyet 40 nm-es csíkszélességű technológiával állított elő, az Intel pedig a NOR rendszerű flashchipek leváltására szánja 90 nm-es csíkszélességű, 128 megabit kapacitású lapkáját.
PRAM prototípus a Samsungtól
A kutatások mindenesetre azt mutatják, hogy nincs akadálya a további miniatürizálásnak – a Samsung már a 20 nm-re gyúr. A sebességre nézve nincsenek pontos adatok, ám az összevethető flashmemóriákhoz képest a PRAM akár több százszoros tempót és legalább tízszeres élettartamot garantál kisebb energiafelvétel mellett. Ennek fényében érthető, hogy a kutatók abban bíznak, ha sikerült tovább javítani az írás-törlés ciklusok tűrésén és a sebességen, akkor a PRAM több területen (például hordozható eszközökben) kiválthatja akár az állandó frissítést igénylő DRAM-okat is. Általános álláspont, hogy a PRAM már a következő egy-két évben megkezdi piaci hódító útját, és ebben az Intel úttörő szerepet vállalhat. Az EE Times híradása szerint a gyártó 2007 első felében kezdi szállítani partnereinek PRAM chipjeinek mintáit, és a tömeggyártás beindítására is sor kerülhet még ebben az évben.
