Negyedmilliárd tranzisztor fér egy négyzetmilliméterbe a TSMC 3 nm-es node-ján?

Ez a tajvani bérgyártó célja, de sajnos a tömeggyártás csúszni fog az új koronavírus-járvány miatt.

A TSMC a negyedéves pénzügyi jelentésével párhuzamosan beszámolt az új gyártástechnológiák fejlődéséről. A vállalat szerint az új koronavírus-járvány miatt az 5 nm-es eljárás bevezetése nincs veszélyben, a korábbi céldátumok nagyjából tarthatók lesznek, de a 3 nm-es node-on a tömeggyártás már csúszni fog, méghozzá fél évet, így az új céldátum a 2022-es esztendő második fele. A gond röviden az, hogy a gyártáshoz szükséges EUV-s berendezések szállítása akadozik, így lassabban futhat fel a termelés.

Hirdetés

A TSMC szerint a 3 nm-es gyártási eljárás esetében az egyik cél, hogy egy négyzetmilliméterbe bezsúfolható legyen 250 millió tranzisztor. Ez egészen döbbenetes szám, de azt hozzá kell tenni, hogy nem minden áramkör esetében helyezhetők a tranzisztorok ugyanolyan közel egymáshoz, tehát a valós lapkák esetében azért kisebb lehet majd a tranzisztorsűrűség.

Sokkal lényegesebb adat, hogy a TSMC az eredeti tervekkel ellentétben nem vezeti be a GAAFET tranzisztorstruktúrát, hanem maradnak a FinFET-nél. Ezt a bérgyártó azzal magyarázza, hogy utóbbit ismerik, jobb a teljesítménykarakterisztikája, illetve olcsóbb gyártást tesz lehetővé. Van azonban egy hátrány is, amiről a cég nem beszélt, mégpedig a skálázhatóság. A FinFET 3 nm-en már elképesztően a határain mozog, tehát ha meg is oldják a gyárthatóságot, további mozgástér nem marad benne.

A fentiek izgalmassá tehetik 3 nm-es node-on a versenyt, ugyanis a Samsung átáll majd GAAFET-re, így érdemes lehet összemérni, hogy ki döntött jobban a kérdésben.

Hirdetés

  • Kapcsolódó cégek:
  • TSMC

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés