A TSMC az 5 nm-es eljárás biztosítása után teljes erővel a 3 nm-es eljárásra koncentrál. A friss adatok szerint a cég már idén megkezdi a kísérleti gyártást, ami részben annak is köszönhető, hogy a korábbi tervekkel ellentétben maradnak a FinFET tranzisztorstruktúrán, és a GAAFET bevetését elhalasztották.
A fentiek lehetőséget adnak egy biztonságosabb átállásra, noha figyelembe kell majd venni, hogy a FinFET ilyen csíkszélességen már nagyon nehezen kezelhető a skálázhatósági korlátok miatt. Ettől persze még lehet igaza a TSMC-nek, és bőven elképzelhető, hogy a GAAFET bevezetésével ráérnek később kockáztatni. Az eredeti koncepció megváltoztatásával a tömeggyártás elindítására akár a 2021-es esztendő második felében is lehetőség adódhat.
Bár a GAAFET bevetéséről nincs konkrét adat, de valószínűleg ez a 2 nm-es eljáráson fog megtörténni, amely szintén aktív fejlesztés alatt áll, és előreláthatólag 2024-ben, már tömeggyártás szintjén is elérhetővé válik a partnerek számára. Ezzel párhuzamosan a tajvani bérgyártó a 2 nm-es node-on túli lehetőségeket vizsgálja.
