A Numonyx bejelentette, hogy komoly áttörést ért el a PRAM technológiák területén, melynek hatására minden eddiginél nagyobb tárolókapacitás érhető el amellett, hogy a chip fogyasztása és mérete csökken. Az Intel és az STMicroelectronics közös tulajdonú vállalkozása az új, több rétegből felépülő PRAM lapkából már el is készített egy 64 megabites tesztverziót.
A fázisváltáson alapuló technológia az anyagszerkezet felmelegítésekor és lehűtésekor keletkező átalakulást használja ki. Az elektromos árammal irányított ciklusok hatására a kalkogén üveg amorf vagy kristályos szerkezetet vesz föl, és ennek megfelelően nagy vagy kicsi lesz az elektromos ellenállása. Ez tökéletesen alkalmassá teszi a technológiát a digitális adattárolásra. Jelenleg a Samsung rendelkezik a legnagyobb kapacitású PRAM lapkával, mely 60 nm-es gyártástechnológiával készül és 512 megabitet tud tárolni. Ez a chip azonban még nem rétegelt, azaz a dél-koreai óriás elgondolásán ebből a szempontból túlmutat a Numonyx megoldása. Az utóbbi vállalat úgynevezett PCMS (Phase Change Memory and Switch) vagy rétegelt megoldása olyan függőlegesen integrált memóriacella, mely adattároló rétegből és OTS (Ovonic Threshold Switch) elemből áll. Ez a kétállású kapcsoló lehetővé teszi a többrétegű fázisváltó memóriatömbök keresztkapcsolását, ami pozitív hatással van a sűrűségre a sebességbeli paraméterek csökkenése nélkül. Természetesen a kapcsoló fizikai és elektronikai tulajdonságai megfelelnek az állapotváltó anyagszerkezetnek.
A Numonyx az áttörésről bővebben beszámol a december 9-én megrendezésre kerülő IEDM-en (International Electron Devices Meetingen). A fázisváltó memória (Phase Change Memory) elsősorban a NOR flash lapkákat fogja leváltani, ám a későbbiekben elképzelhető, hogy a NAND flash chipek által uralt piacokra is betör, ez azonban még évek kérdése.
