Az előző év őszén a Samsung impozáns tervekkel állt elő a bérgyártás piacának letámadására, és most emelik a tétet egy új node-dal, amire valószínűleg lesz is érdeklődés. Bár a vállalat 5 nm-es EUV (LPE) node-ja már elkészült, ez a tömeggyártás szintjén is elérhető 7 nm-es EUV (LPP) opcióhoz képest egy nagyobb ugrást jelent, vagyis nem biztos, hogy minden partner számára vállalhatók a váltással kapcsolatos költségek.
A Samsung emiatt korábban úgy döntött, hogy elkészítik a 7 nm-es LPP úgynevezett half-node-ját, ami tulajdonképpen a 6 nm-es LPP lesz. Ez azért hasznos, mert az új eljáráson nagyjából 10%-kal jobb lehet a tranzisztorsűrűség, miközben még alacsonyabb energiaigény is elérhető, ráadásul a 7 nm-es eljáráshoz használt eszközök és gyártósorok kompatibilisek maradnak.
[+]
A 6 nm-es LPP még idén elérhető lesz tömeggyártás szintjén, emellett a Samsung az év végéig szintén befejezi a 4 nm-es LPE fejlesztését, ami majd az 5 nm-es eljárás half-node-ja lesz. A dél-koreai óriáscég terveiben ez lesz az utolsó fejlesztési lépcső, ami még FinFET tranzisztorstruktúrát használ. A 3 nm-es csíkszélességen már a GAAFET jön, de erről egy korábbi hírben már beszámoltunk.
Lényeges adalék, bár kétségtelenül nem sok köze van a csúcstechnológiákhoz, hogy a Samsung az EUV-t kerülő ügyfeleire is gondol. Mint ismeretes az EUV litográfia ugyan fontos lépcsőt jelent az iparágon belül, de az ehhez szükséges berendezések drágák, a hatékonyságuk sem mondható túl jónak, vagyis a szolgáltatás annyira drágán vehető igénybe, hogy sok cég számára nem túl kedvezőek a feltételek. Számukra már eleve ott a 8 nm-es LPP és LPU node, de a bérgyártó úgy döntött, hogy ezeket továbbfejleszti, hogy még jobban ki tudják szolgálni a partnerek igényeit.
