A Micron követi a Hynixot a DDR3L-RS (reduced standby) memóriák versenyében, melyekre az egyre vékonyodó mobil termékek szempontjából nagy szükség lesz a jövőben. Az előbbi vállalat megoldásai gyakorlatilag ugyanazon az elven működnek, így ugyanazokat az előnyöket mutatják fel, mint az utóbbi cég termékei. Különbség azonban, hogy a Micron 20 helyett 30 nm-es osztályú node-on gyártja majd a 2 és 4 gigabites lapkákat.
A Micron DDR3L-RS memóriák üzemfeszültsége 1,35 V lesz, míg az effektív órajel 1333 és 1600 MHz lehet. A vállalat már szállítja a termékek mintáit a partnereknek, és hamarosan elkészülnek a 8 gigabites kapacitású lapkával is, mely megegyező technikai paraméterekkel rendelkezik majd.
