Az SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corp) a CNTechPost információi szerint már idén megkezdi a 7 nm-es node-juk bevezetését, méghozzá az év végéhez közeledve, amikor is relatíve kis mennyiségben megkezdődik a gyártási fázis.
Hirdetés
A vállalat szerint az első, N+1 jelzésű 7 nm-es node-juk az aktuális 14 nm-es FinFET opciójukhoz viszonyítva 63%-kal javíthatja a tranzisztorsűrűséget, miközben 57%-kal jobb fogyasztási adatok hozhatók, 20%-os potenciális teljesítménynövelés mellett.
Az SMIC készít majd egy N+2 jelzésű, második generációs 7 nm-es node-ot is, amely főleg a nagyobb teljesítményt célzó lapkákhoz lesz hasznos. A két gyártási eljárás közül egyik sem használ majd EUV litográfiát.
A kínai bérgyártó a fentiekkel még nem lesz a TSMC és a Samsung nyakán, hiszen az említett duó az év második felében az 5 nm bevezetésén dolgozik majd, ugyanakkor hatalmas fegyvertény lehet az is, hogy 7 nm-es csíkszélességen harmadikként kezdik majd meg a gyártást. Ezt pár éve talán még az SMIC sem gondolta volna, de kétségtelenül sokat változott a félvezetőipar, ráadásul igen rövid idő alatt.