A GlobalFoundries még az előző év őszén jelentette be, hogy új, 12 nm-es FinFET node-ot fejleszt, amely a 12LP+ jelölést viseli majd. Ez a 12 nm-es LP opcióhoz viszonyítva 20%-kal jobb teljesítményt, 40%-kal kedvezőbb energiaigényt, illetve 10%-os csökkentést kínálhat az áramkör kiterjedését tekintve, de ezek szokás szerint általános adatok, a gyakorlatban eltérő paramétereket is mérhetnek majd a potenciális ügyfelek.

A 12nm-es LP+ legfőbb előnye inkább a nagy teljesítményű, alacsony feszültségen is üzemképes SRAM cellák biztosítása (0,5 V-os Vmin), ami kifejezetten fontos tényező a gépi tanuláshoz tervezett lapkák esetében, legyen szó felhős kiszolgálókba vagy peremhálózatokba szánt megoldásról. Nem véletlen, hogy a GlobalFoundries erre a területre szánja az új node-ot.

A Fab 8-as New York-i gyár már kész is a gyártásra, a GlobalFoundries szerint a partnerek az év későbbi részében véglegesítik a chipdizájnjaikat.