Olvasóink számára ismerős lehet az Everspin munkássága, hiszen a cég még a 2012-es esztendő végén állt elő első MRAM lapkájával, amely akkor még 180 nm-es gyártástechnológiával készült, de később érkezett egy újabb opció is, ami 130 nm-es szintig merészkedett le. Az áttörést a GlobalFoundries néven ismert bérgyártóval kötött szövetség hozta meg, ugyanis ez lehetővé tette az Everspin számára, hogy modern gyártástechnológiákhoz is hozzáférjenek, illetve 300 mm-es wafereket használhassanak.
Hirdetés
Azóta már 1 gigabites MRAM lapkák is rendelhetők, méghozzá 28 nm-es node-on, de a GlobalFoundries és az Everspin szövetsége egy új szintre emelkedett, ugyanis a két vállalat bejelentette, hogy beágyazott ST-MRAM-ot kínálnak a jövőben az érdeklődőknek, amit a 22 nm-es FDX node-on lehet elérni.
Az újítás igazából nagyon fontos a mélyen beágyazott rendszerek és az IoT-piac számára, ugyanis ezeknél ma a legnagyobb problémának az tekinthető, hogy az aktuális adattárolási technológiák nem skálázhatók, vagyis a legtöbb érintett ezeken a piacokon egy kiegészítőlapkát kínál az adott rendszerchip mellé, amely valamekkora kapacitású beágyazott flashmemóriát tartalmaz. Többen persze inkább a 40 nm-es gyártástechnológiákon maradtak, mivel a beágyazott NVRAM-ok ezen a node-on működnek jól. Összességében azonban mindkét opció csak kompromisszummal jár, és mindkét esetben relatíva nagy lesz a platformdizájn mérete és a fogyasztása ahhoz képest, amit el lehetne érni a legmodernebb technológiákkal. Talán mondani sem kell, hogy ez mennyire kritikus probléma az említett piacokon.
A beágyazott ST-MRAM gyakorlatilag megszüntetné ezt a problémát, így maga az adattárolás integrálható lenne magába a rendszerchipbe. Ráadásul ez 22 nm-es node-on történne, illetve az MRAM sajátosságai miatt tulajdonképpen nem csak az NVRAM, hanem a DRAM és az SRAM is kiváltható vele. Az persze egyéni elbírálás kérdése, hogy ebből a megrendelő mit vesz számításba.
A beágyazott ST-MRAM előnye, hogy tovább is skálázható, vagyis az Everspin és a GlobalFoundries dönthet úgy, hogy továbbviszik ezt a lehetőséget a nemrég bejelentett 12 nm-es FDX node-ra, ami szintén előny, mert amíg a beágyazott NVRAM-mal gyakorlatilag semmi esély elmozdulni a 40 nm-es opciókról, addig a beágyazott ST-MRAM biztonságos fejlődési utat kínál.
