A GlobalFoundries komoly ajánlattal csábítja az ultramobil chipfejlesztőket

A GlobalFoundries hivatalosan is előállt az FD-SOI struktúrájú 22 nm-es node-jával, amely komoly ajánlatnak számít az ultramobil chipfejlesztők számára. Mint ismeretes a SOI (szilícium a szigetelőkön) nem ismeretlen a vállalat számára, hiszen korábban már használták a technológiát, de leginkább a kevésbé hatékony PD (Partially Depleted) megvalósítást. Ennek előnyei mellett volt egy nagy hátránya, mégpedig a lebegőtest effektus, amikor a félvezető és a szigetelő között töltés keletkezik, és erre a dizájn kialakításánál ügyelni kell, de a csíkszélesség csökkenésével ez egyre nehezebb. Az jobbnak tekinthető FD (Fully Depleted) opció ettől a problémától mentes, viszont a megfelelő gyártástechnológia kialakítása nagyságrendekkel nehezebb.

A GlobalFoundries az STMicroelectronics technológiájára épít, és az arab tulajdonban lévő bérgyártó számára az újítás nagyon fontos, mert a gyártástechnológiák fejlesztését a fizika törvényei durván korlátozzák. A piac egy része ezen még felülemelkedik, és bár érezhető késéssel, de lassan átállnak az új node-okra, ugyanakkor kisebb csíkszélességre váltás költségei nőnek, miközben a váltás előnyei már nem feltétlenül olyan egyértelműek, mint régen, így meg kell fontolni, hogy megéri-e a befektetést. Leginkább az az iparág problémája, hogy egy gyártástechnológiai váltáshoz hasonló, vagy akár jobb előrelépést is el lehet érni a meglévő node kiismerésével, miközben az erre elköltött pénz töredéke annak, mint amennyibe egy új csíkszélességre való átállás kerül. Különösen érdemes ezt megfontolni az ultramobil rendszerchipek piacán, ahol a rendkívül sokat számít a költséghatékonyság.

A fentiekből érthető, hogy sok cég miért nem akarja elhagyni a 28 nm-es node-okat, hiszen még mindig lehet belőlük extra teljesítményt kinyerni, illetve olcsónak is számítanak. A 14 nm-es FinFET opciókra való átállás azonban rendkívül drága, és egyszerűen nem éri meg az átállás az olyan piacokon, ahol kritikus fontosságú a gyártás költségének alacsony szinten tartása.

A legtöbb érintett valami olyasmi rendszert szeretne, amely hozza a FinFET tranzisztorok előnyeit, de a gyártás csak kismértékben drágul az aktuális 28 nm-es technológiákhoz viszonyítva. A GlobalFoundries által bejelentett 22 nm-es FD-SOI, vagy tényleges nevén FDX node pont ilyen. Persze ennek a gyártástechnológiának is megvannak a hátrányai, hiszen a kialakítása mindenképp nehezebb, viszont FD-SOI-ra egyszerűbb lapkát tervezni, ami egy olyan költségcsökkentési tényező, amelyet nem fognak figyelmen kívül hagyni az érdeklődők.

A GlobalFoundries az igények teljes lefedése érdekében négy verziót készít a 22 nm-es FDX node-ból. A 22FD-ulp a középkategóriás és olcsó okostelefonokba tervezett lapkákhoz ideális. 0,9 volton a fogyasztása 70%-kal, míg 0,4 volton 90%-kal is jobb lehet, mint a 28 nm-es node-ra tervezett lapkáké, miközben a teljesítménye a FinFET node-okhoz hasonló. A 22FD-uhp, már kifejezetten a hálózati megoldásokba tervezett lapkákhoz ajánlott, amelyek esetében opció az analóg áramkör integrációja. A teljesítménye szintén a FinFET node-okhoz hasonló.

A fentieknél sokkal érdekesebb a 22FD-rfa opció, amely a rádiófrekvenciás analóg megoldásokhoz ajánlott, és költségcsökkentés mellett kínál 50%-kal jobb fogyasztási mutatókat. A legérdekesebb opció azonban a 22FD-ull, amely a kiemelten alacsony fogyasztású hordható eszközökbe készült lapkákhoz ideális. A statikus szivárgása 1 pA/um, így még a FinFET node-oknál is jobb képességekkel rendelkezik. Ez leginkább az üzemidőben látszana meg. A csomag képességei alapján egy 14 nm-es FinFET node-on készült lapkához képest valamivel nagyobb teljesítményű megoldás készíthető vele, ráadásul úgy, hogy az adott hordható eszköz üzemideje majdnem megduplázható. Utóbbihoz persze szükség van az FBB kiegészítésre, amellyel szoftveresen kontrollálható a lapka teljesítménye, energiaigénye és szivárgása. Nyilván ezek azok a trükkök, amely miatt az FD-SOI annyira a figyelem középpontjában van, mivel olyan lehetőségeket teremt, amelyek a hagyományos bulk struktúrákkal nagyon nehezen, vagy egyáltalán nem kivitelezhetők.

A 22 nm-es FDX node kísérleti gyártása a következő év második felében kezdődhet el, érdeklődő szerencsére van bőven.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés