Hirdetés
A Liberty Times információi szerint a TSMC a jelenleg zajló kísérleti gyártás szakaszában 60%-os kihozatalt ért el a készülő 2 nm-es node-on, ami még a vártnál is jobb eredmény, így szinte minden szempontból jobban áll a szóban forgó eljárás fejlesztése.
A tajvani bérgyártó a tömeggyártást a következő év során vezeti be, amit várhatóan tartani is tudnak, és előreláthatóan a 3 nm-es eljárásnál is nagyobb igény lesz az új gyártástechnológia iránt. A fenti eredmény egyébként annak tükrében nagyon erősnek számít, hogy ez lesz a TSMC-nek az első olyan node-ja, amely GAAFET tranzisztorstruktúrát használ, és a konkurensek problémáit látva meglepően könnyedén veszi a cég az akadályt.
