A mai AI gyorsítók legnagyobb gondja, hogy elképesztő mennyiségű memória szükséges hozzájuk, és persze az sem gond, ha van egy jó adag memória-sávszélesség is. Nem véletlen, hogy az ilyen dizájnok valamilyen HBM memóriát vetnek be, ami önmagában jó, de lehetne jobb is. Ezt gondolja a NEO Semiconductor is, ugyanis bejelentették a 3D X-AI technolgóiát, ami ötvözi az előző év tavaszán bemutatott 3D X-DRAM-ot, a memóriában végzett számítások ötletével.
A számításokat végző memória amúgy sem új ötlet, léteznek ilyen dizájnok már most is hagyományos DRAM-ra építve. A 3D X-AI is igazából arról szól, hogy a memória tartalmaz neuronáramkört, amely konkrét, gépi tanulással kapcsolatos feladatokat képesek elvégezni. Ennek az előnye, hogy az egyes számítások megtörténhetnek a memóriában, minimalizálva az adott gyorsító és a memória közötti adatmozgást.
[+]
A jól ismert elvet kombinálva a 3D X-DRAM technológiával, 300 cellarétekből álló, 128 GB-os kapacitással rendelkező dizájnban gondolkodik a cég, amelynek neuronáramköre 8000 neuront kínál. A tempó elérheti a 10 TB/s-ot is egy lapkára levetítve, és több lapkát bevetve ez nyilván skálázóható tovább.
A nagy kérdés, hogy ez mikor lesz elérhető a piac számára, amiről sajnos még nincsenek konkrétumok.
