A Neo Semiconductor bejelentette 3D X-DRAM technológiát, amelyet az iparág első, 3D NAND-szerű DRAM-cellasorozataként aposztrofálnak, és a hagyományos DRAM megoldások kiváltását célozzák vele. A rendszer kondenzátor nélküli lebegőtest cellatechnológián alapul, így a 3D NAND-hoz hasonlóan gyártható, ami relatíve kedvező költségeket jelenthet.

[+]

A vállalat szerint a 3D X-DRAM technológiával 230 réteggel 128 gigabit sűrűség érhető el, ezzel nyolcszorosan túllépve a jelenlegi DRAM megoldások lehetőségein. Ekkora ugrás nagymértékben javíthatna a DRAM kapacitáslimitjein, így az új alternatíva megfontolandó lehet a potenciális partnerek számára.

A Neo Semiconductor a távlati terveket tekintve is sokat ígér, 2030-ra már 1 terabites 3D X-DRAM memóriát prognosztizálnak.