Manapság egyre több adat kerül elő az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) technológiáról, melyben a gyártók nagy jövőt látnak mind az adattárolás, mind pedig a rendszermemóriaként vagy gyorsítótárként való felhasználás tekintetében. A Spin Transfer Torque elven működő (STT-MRAM) megoldás mágneses rétegeket alkalmaz, melyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendők, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Az MRAM legnagyobb előnye a potenciális versenytársakkal szemben, hogy a cellák sosem fáradnak el, vagyis nincs maximalizálva az írási ciklusok száma.
A mélyebb működés tekintetében az MRAM elektromos áram segítségével mozgatja az elektronokat, hogy azok megváltoztatassák az adott cella módosítható rétegének polaritását. Ez az elgondolás funkcionális szempontból nagyon jó, és az energiahatékonyság tekintetében is jó eredményeket mutat fel, de az UCLA (University of California, Los Angeles) szerint van hova fejlődni. Az elektronok elektromos árammal való mozgatása ugyanis nem kevés energiát igényel, illetve viszonylag sok hőt termel. A jobb hatékonyság érdekében Kang L. Wang egyetemi csapata inkább a feszültség segítségével próbálja módosítani a polaritást. A fizika törvényeiből már ismerhetjük, hogy egy elektromos mező két pontja között eltérő elektromos potenciálkülönbség arányos azzal az elektrosztatikus erővel, ami elindítja az elektronok áramlását a két pont között. Lényegében az MeRAM (Magnetoelectric Random Access Memory) az MRAM alapjaira épít, de a működés szempontjából más elven mozgatja az elektronokat, hogy azok megváltoztatassák az adott cella módosítható rétegének polaritását.
Az eredmények egyelőre biztatóak. Az MeRAM energiahatékonysága az MRAM-hoz képest tízszer, vagy akár ezerszer is jobb lehet, illetve az adatsűrűsége is ötször jobb. Egyelőre a fejlesztés még messze van attól, hogy termékekben is bevessék, de ennek is eljön az ideje, viszont ez még évek kérdése.
