A Samsung bejelentette az iparág első olyan DDR4-es szabványú memóriáját, amelynek gyártásához EUV-s, azaz extrém ultraibolya sugárzású litográfiát alkalmazó eljárást használtak. Itt konkréten a 10 nm-es osztályú, D1a jelölésű node-ról van szó, amelyre építve a vállalat már egymillió memóriamodult le is szállított.
Az EUV a memóriagyártást tekintve hasznosnak számít, mivel nagyobb teljesítményt képes biztosítani jobb kihozatal mellett, illetve még a fejlesztéshez szükséges időt is csökkenti. Az eljárást a dél-koreai óriáscég beveti a 14 nm-es osztályú csíkszélességen is, amely kiegészíti a már említett, negyedik generációs, 10 nm-es osztályú, D1a jelölésű node-ot. Jövőre ezekre építve érkeznek a DDR5-ös és LPDDR5-ös memóriák, és a megfelelő gyártókapacitás érdekében a cég megduplázza a 300 mm-es D1x waferek mennyiségét.
