2019. augusztus 22., csütörtök

A Hynix és a Toshiba összefog az MRAM jövőjéért

  • (f)
  • (p)
Írta: | | Forrás: PROHARDVER!

A mágneses elven működő memória az új generációs adattárolásban komoly szerepet tölthet be.

A Hynix és a Toshiba közös projektbe kezdett az MRAM memóriák jövőjéért. A mágneses elven működő RAM-ok előtt az elméleti adatokat tekintve nagy jövő áll, de a gyakorlati alkalmazása még évek kérdése.

Hirdetés

A MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) mágneses elven működő rétegeket tartalmaz, melyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. Ezek a rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Természetesen az MRAM nem felejtő memória, így a PRAM mellett a flashmemóriák leváltására kiválóan alkalmasak. Sőt, az MRAM óriási előnye az előbbi technológiákkal szemben, hogy a cellák sosem fáradnak el, vagyis nincs maximalizálva az írási ciklusok száma.

A Hynix és a Toshiba egyértelművé tette, hogy az MRAM-ban látják a jövőt, és mostantól közösen dolgoznak majd a technológia fejlesztésében. A termékek megszületésekor sem fog a kapcsolat megszakadni, így a gyártást egy közös tulajdonban álló cég fogja majd végezni. Az érintett felek az együttműködés mellett megújították a keresztlicenc szerződésüket is.

A Hynix szemszögéből a megállapodás azért is érdekes, mert a dél-koreai gyártó 2008-ban már szövetkezett a Samsunggal az MRAM fejlesztésével kapcsolatban. Az új egyezményt valószínűleg a Toshiba MRAM megoldásának fejlettsége szorgalmazta. A japán vállalat jelenleg 50 nm-es, úgynevezett STT-MRAM-mal (Spin-Tranfer Torque) rendelkezik, de ez a megoldás még messze nem hibátlan. Ugyanakkor a fejlesztés áttörésnek számít, ugyanis – a korábbi szinthez viszonyítva – sikerült a polaritás megváltoztatásához szükséges intenzitást hatodára csökkenteni. A Toshiba szerint a 30 nm-es eljáráson készülő, új generációs fejlesztés már nagyon jól fog funkcionálni a réteg polaritásának módosításához szükséges áramerőség szempontjából.

Az MRAM-ok kereskedelmi bevezetése természetesen még messze van. Az előrejelzések szerint nagyjából 3, de inkább 4 év, mire feltűnik az első kereskedelmi forgalomba szánt lapka.

Hirdetés

Gyártók, szolgáltatók

Hirdetés

Copyright © 2000-2019 PROHARDVER Informatikai Kft.