A GlobalFoundries még az év közepén jelentette be, hogy előállt az FD-SOI struktúrájú 22 nm-es node-jával, amelynek számos opciója ideális választás lehet az extrém alacsony fogyasztású eszközök számára. Az FD-SOI legfőbb előnye, hogy megtartható jól ismert bulk struktúra a skálázás megőrzésével, illetve az előállítási költségek sem fognak olyan szintre emelkedni, mint a FinFET node-okon. Alapvető előny még a jellemzően alacsonyabb működési feszültség használhatósága, illetve könnyebben elérhetők a magasabb órajelek, de hátrányos, hogy az adott lapka tranzisztorsűrűsége nem lehet olyan jó, mint FinFET struktúrával.

A legtöbb előny a FinFET és az FD-SOI kombinációjával hozható össze, de ez jelenleg túl nehéz feladat, így egyelőre senki sem kínál ilyen node-ot. Viszont az tisztán látszik, hogy a két gyakorlatban is bizonyított irányból nincs egyértelmű választás. A kínai bérgyártók a DigiTimes információi szerint az Ultra-Thin Body eljárásokra térnek majd át, ami gyakorlatilag az FD-SOI egy alternatív elnevezése. A Common Platform részeként az FD-SOI-t támogató cégek között van a GlobalFoundries, a Samsung Semiconductor és az STMicroelectronics, és ehhez a társasághoz csatlakozna a HH Grace Semiconductor is.

A választás igazából érthető, mivel azok a cégek, amelyek a kínai bérgyártók kapacitását szeretnék használni zömében inkább az FD-SOI előnyeivel tudnának jól bánni, mivel a FinFET node-ok megfizethetetlenül drágák lennének számukra, és a legfőbb előnynek számító jobb tranzisztorsűrűség sem kritikus fontosságú elem.