Hirdetés

2018. október 17., szerda

Útvonal

Hírek » Egyéb rovat

Frissítette útitervét a Common Platform

  • (f)
  • (p)
Írta: | | Forrás: PROHARDVER!

A GlobalFoundries, az IBM és a Samsung felgyorsítaná a 14 nm-es átállást.

A Common Platform idén is megtartotta a technológiai fórumát, melyen belül az IBM, a GlobalFoundries és a Samsung a többi partnerrel kiegészülve beszéltek az új generációs gyártástechnológiákról. Ennek kapcsán a legfrissebb útiterv is kiderült. Jelen pillanatban a GlobalFoundries minden 32 és 28 nm-es node-dal elkészült, amit terveztek, így most már minden erővel a későbbi csíkszélességekre koncentrálnak.

Hirdetés

Az aktuális megoldások esetében a vállalat az SHP node-okat speciálisan az AMD igényeire tervezte, így ezekről túl sok szó nem eset, mivel az ARM-os partnerek úgy sem ezeket választják. A GlobalFoundries azért megjegyezte, hogy alternatívaként kínálnak majd egy 28 nm-es node-ot FD-SOI struktúrával, melyet az STMicroelectronics segítségével fejlesztette ki. Ezt egy új generációs ST-Ericsson SoC használni fog, de más lapka már nem biztos. A legtöbb partnert a többi 28 nm-es opció fogja érdekelni. A HPP node-on már elkészült egy 3 GHz-es órajelen üzemelő ARM Cortex-A9-es tesztchip, míg az SLP és az LPH verzió a kisebb fogyasztású lapkákhoz lesz ideális. Hogy ki mit választ az elsősorban függ a termék által megcélzott piactól.

A 20 nm-es fejlesztésre rátérve a Common Platform egyszerűsített, így a GlobalFoundries útitervéből eltűnt az SHP opció, így csak LPM node készül. A vállalatok szerint 20 nm-en kevés a lehetőség a chipdizájnok egyedi finomhangolására, és ezért döntöttek a nagyobb teljesítményű node törlése mellett. Érdekesség, hogy a TSMC is csak egyetlen 20 nm-es node-ot készít, és tulajdonképpen ugyanezt a magyarázatot adták a többi opció törlésére. A Common Platform a 20 nm-es csíkszélesség esetében áttért a Replacement Metal-Gate, azaz a gate last megvalósításra, szemben a 28 nm-en alkalmazott gate firsttel, de ez már régóta tudható. A 20 nm-es LPM node-ot idén ősszel építik ki, így 2014-ben már lapkák is épülhetnek rá.

A Common Platform ezután rátért a lényegre, így részletezték a 14 nm-es XM node-ot, ahol az utóbbi két betű az extreme mobility rövidítése. A technológia több szempontból is érdekes. Elsősorban ez lesz a GlobalFoundries, az IBM és a Samsung első olyan node-ja, ami FinFET tranzisztorokat használ, és a bulkot is leváltja az FD-SOI struktúra. A FinFET-re való átállás egyébként gyorsan halad, amit azzal magyaráznak az érintettek, hogy az AMD korábbi munkáját vitte tovább a Common Platform, így elmondható, hogy összességében már 10 éve dolgoznak a FinFET tranzisztorokon, amit az IBM moduláros FinFET struktúrájával végzett tapasztalatok is kiegészítenek. Az FD-SOI-t szintén fontos lépcsőnek tartják, mivel bulk struktúrával 14 nm alatt extrém mód nehéz a szivárgási árammal való harc és a háttérsugárzás miatt bekövetkező bithibák elkerülése. A SOI alapvető hátránya mindig is waferek ára volt, de a Common Platform szerint ez a gyártás mindenképp kiegyenlítődik, mivel FD-SOI mellett sűrűbben lehet majd elhelyezni a tranzisztorokat, valamint kevesebb lesz a selejtes lapka.

A 14 nm-es XM node további érdekessége, hogy nem homogén FinFET struktúrát használ, mivel a front-end dizájn ugyan 14 nm-es, de a BEOL (back-end-of-line) már 20 nm. Ugyanezt az elvet követi az UMC is (az IBM-től licencelt moduláros FinFET struktúrával), és a Common Platform szerint ez egy kifejezetten értékes lépés a váltás felgyorsítására. Többek között a 20 nm-es gyártástechnológiához használt berendezéseket nem kell majd lecserélni, továbbá a tervezéshez szükséges szoftverek zöme is megmarad, ami a partnereknek költséghatékonnyá teszi az átállást.

A 14 nm-es XM node a fentebb részletezett kialakítás mellett már a következő év első felében elkészül, és várhatóan 2015-ben már lesznek is erre építő lapkák. A következő lépcső a 10 nm-es XM opció, amiről csak annyit lehet tudni, hogy már homogén FinFET struktúrát alkalmaz, és várhatóan 2015 végén épül ki az első gyártósor.

A 14 nm-es node-ot egyébként a 20 nm-es BEOL mellett sokan csalásnak értékelik, mivel csak a gyártástechnológia egy része 14 nm-es. Ugyanakkor fel lehet tenni azt a kérdést is, hogy valójában a csíkszélesség mennyire van mérve manapság. Ugyanis erre az lesz a válasz, hogy valójában semennyire. Az adott node-ot az ISTR sorolja be egy kategóriába, és azt nem egy paraméter alapján teszik meg. Ergo elképzelhető, hogy egy 14 nm-es node-ban valójában semmi sem 14 nm-es. Többek között ezért lehetséges az, hogy az Intel 22 nm-es node-jának kapuhosszúsága valójában 26 nm. Ergo a különböző csíkszélességeket jelző számnak valójában nem sok köze van a mért kapuhosszúsághoz, de az ISTR az adott gyártástechnológia paraméterei alapján besorolja azt valamelyik kategóriába. Túl nagy jelentősége ennek nincs, hiszen az egész túlzottan bonyolult ahhoz, hogy azt egy mérnöki tanulmányokat nem végzett felhasználó megértse. Persze az egyetlen szám sem sokkal jobb, de ma a gyártástechnológia már marketingszerepet is ellát, így a marketingeseknek mindenképp szükségük van egy irányadó adatra, még ha abból semmi sem következik.

Hirdetés

Gyártók, szolgáltatók

Hirdetés

Copyright © 2000-2018 PROHARDVER Informatikai Kft.