2 Gbit-es NAND flash memória a Samsungtól

Hirdetés

A Dél-Koreai Samsung Electronics bejelentette, hogy legyártotta az első mintapéldányait a 2 Gbit kapacitású NAND flash memóriáknak. A nagysűrűségű félvezetőelemek a jelenleg használt legmodernebb 9 nanométeres (kedvelt nevén 0.09 mikronos) gyártási technológiával készültek. A gyártó által közölt információk szerint a 2 Gbit-es chipek tömeggyártása 2003 harmadik negyedévében kezdődhet meg, havi 20 000 darab 12 inch-es ostya (wafer) mennyiségben.

A most bemutatott memóriák segítségével a gyártók képesek lesznek kisméretű, 4 Gbyte-os memóriakártyák kialakítására is, amelyeken akár 70 zenét tartalmazó CD teljes anyagát vagy négy tömörített filmet lehet tárolni.

A Samsung középtávú tervei szerint a jelenlegi 14 milliárd dolláros DRAM bevételeit 2005-ig 25 milliárdra szeretné bővíteni.