Az IBM Thomas J. Watson Kutatóközpontjában dolgozó Robert Dennard villamosmérnöknek megadják a szabadalmat az ún. dinamikus, tetszőleges hozzáférésű memóriára (DRAM). Az 1966-ban kidolgozott találmány – mely egy bit információ tárolására egy egyetlen tranzisztorból és kondenzátorból álló memóriacellát használ – olcsó és nagy kapacitású memóriák gyártását tette lehetővé. A neve azért dinamikus, mert – mivel a kondenzátor idővel elveszti töltését – a DRAM-cellákat rendszeresen frissíteni kell.
Sir Frederick Williams megkapja a szabadalmat a közvetlen hozzáférésű memóriára (random access memory – RAM). Az úgynevezett Williams-cső egy foszforral bevont katódsugárcső: az elektonsugárral villamos töltést lehet létrehozni a foszforrétegben, amit ugyancsak az elektronsugár segítségével ki lehet olvasni. Bármikor bármelyik pontot olvashatjuk vagy írhatjuk, tehát a szerkezet RAM-ként használható. A MARK I számítógépben használt Williams-csövek 32 darab negyvenbites szót tároltak.
Benyújtja szabadalmi kérelmét az ún. ferritgyűrűs tárolóra Jay Wright Forrester, a Massachusettsi Műszaki Egyetem (MIT) kutatója. A digitális számítógépekben egészen a hetvenes évek közepéig, a félvezetőalapú RAM-ok megjelenéséig ezt a tetszőleges hozzáférésű memóriatípust használták. A kifejlesztésében Forrester mellett kulcsszerepe volt Vang An (An Wang) kínai-amerikai fizikusnak is.
Bejegyzik a Massachusettsi Műszaki Egyetemen (MIT) oktató Jay Wright Forrester szabadalmát, amely az ún. ferritgyűrűs tároló vezérlési módját írja le. A digitális számítógépekben egészen a hetvenes évek közepéig, a félvezetőalapú RAM-ok megjelenéséig ezt a memóriatípust használták. A kifejlesztésében Forrester mellett kulcsszerepe volt Vang An (An Wang) kínai-amerikai fizikusnak is.
