A Samsung SSD 840 EVO
A Samsung nem tétlenkedik az SSD-fejlesztések terén (sem), hisz még egy éve sincs, hogy piacra dobták a korábban általunk is bemutatott 840 PRO és 840 SSD-ket. Előbbi a 830-as modelleknél használt MLC NAND chipekre épült, és az 5 év garanciával társítva leginkább a nap mint nap komoly terhelésnek kitett környezetekbe tervezték. Ezzel szemben a 840 volt az első TLC NAND-ra épült, kereskedelmi forgalomba került SSD, ami elsősorban a költséghatékonyabb szegmenst vette célba.
[+]
A 840-es sorozat legújabb verziója a közelmúltban befutott EVO, melynek 120 és 250 GB-os tagja egy egyszerű, helytakarékos csomagolásban érkezett hozzánk. Az SSD-n kívül jóformán csak a – fenti képen is látható – kötelező kiegészítőket találtuk a dobozban.
[+]
Formáját tekintve a meghajtó nagyon hasonlít a 830 óta alkalmazott kialakításra, csupán a szín változott, amiből most éppen a szürkéhez nyúlt a Samsung. A ház anyaga továbbra is teljes egészében alumínium, magassága 7 milliméter, míg a meghajtó egészének tömege 50 gramm körül alakul. Ahogy már említettük, nálunk most a két legkisebb kapacitású, 120 és 250 GB-os modell vendégeskedett, de a sorozatból 500 és 750 GB-os, sőt még 1 terabájtos verzió is létezik.
[+]
A fémház belsejében egy nagyon kis NYÁK lapul, ami a 120 és 250 GB-os modellek sajátossága, ugyanis az ezeknél nagyobb kapacitású verziók nagyobb áramkörrel rendelkeznek. A nálunk járt két SSD mindössze két darab NAND chipet tartalmaz.
A Samsung S4LN045X01-8030 vezérlő
A 840 EVO első újítása a vezérlőt érinti, melyet a korábban megjelent két modell S4LN021X01-8030 jelzésű központi egységének továbbfejlesztett verziója váltott. Az újabb S4LN045X01-8030 típusú chip immáron 400 MHz-es órajelen ketyeg, ami 33,3%-kal magasabb frekvenciát jelent az elődhöz képest. További újítás a SATA 3.1 szabvány támogatása, mely csupán néhány funkcióban egészíti ki a korábbi 3.0-t, így ettől teljesítménybeli előrelépésre nem igazán számíthatunk. A 256 bites AES titkosítás támogatása továbbra is biztosított. A kontroller mellett most is egy DRAM chip (cache) lapul, mely egészen pontosan egy energiatakarékos LPDDR2-1066 szabványú Samsung modell, melynek kapacitása a 120 GB-os modell esetében 256 MB, míg a 250 GB-os variánsnál 512 MB.
A NAND chipek sem maradtak érintetlenül. Működési elvüket tekintve a sima 840-hez hasonlóan TLC-ről beszélhetünk, míg a gyártástechnológia mostmár 20 nanométer alá kúszott, így a 840 EVO-ban egészen pontosan 19 nm-es Toggle DDR 2.0 NAND lapkák kaptak helyet. Az alacsony csíkszélesség, illetve a TLC típusú működésnek köszönhető, hogy a 250 GB-os kapacitáshoz már két NAND chip is elegendő. Természetesen egy chipben több NAND lapka is helyet kaphat (akár 8 darab is), ennek ellenére mindez nincs túl jó hatással az elérhető maximális sávszélességre. Ezzel nyilván a Samsung is tisztában volt, így időszerűnek látták bevetni a TurboWrite technológiát.
A megoldás nagyon hasonló a SanDisk által korábban bemutatott nCache-hez. A NAND lapka egy bizonyos százalékát SLC módban konfigurálják, ami a jóval magasabb tempó mellett még az élettartamra is jótékony hatással van. A meghajtó teljes kapacitását tekintve a nálunk járt modellek esetében összesen 3 GB az ilyen jellegű terület (a nagyobb maghajtóknál több), mely egyfajta bufferként funkciónál, így a vezérlő először erre a területre próbálja betuszkolni a kiírandó adatokat, melyek később a lassabban írható részekre ürülnek. Mindezzel együtt a Samsung 2500 programozási/törlési ciklust publikált a lapkákra, mely közel azonos a 25 nm-es MLC megoldások esetében látottakkal, ami napjainkban már egy meglehetősen jó értéknek számít.
A cikk még nem ért véget, kérlek, lapozz!
