A Samsung 850 EVO
A TLC-vel (vagy más néven 3 bit MLC-vel) megspékelt, és közben 3D V-NAND-ot is alkalmazó első Samsung SSD sorozat a 850 EVO nevet kapta. A széria egyelőre 2,5"-os, SATA csatolós kivitelben érhető el, 120, 250, 500 és 1 TB-os kapacitással.
[+]
Az egyszerű fehér dobozban az SSD mellett egyéb említésre méltó kiegészítőt nem találtunk, ami a költséghatékonyság tekintetében nem meglepő.
[+]
A meghajtó külsőre szinte teljesen megegyezik a 850 PRO esetében látottakkal, csupán márkajelzés alatti négyzet színe más. A ház tehát most is alumíniumból készült, melynek magassága 7 milliméter, míg a meghajtó egészének tömege kapacitástól függően csupán 60 gramm körül alakul.
[+]
Tesztlaborunkban a 250 és az 500 GB-os modell járt, melyek közül a kisebbet tudtuk szétszedni. A NYÁK rendkívül kisméretű, aminek az az oka, hogy a negyed terabájthoz már elég csupán két darab, 42 nanométeres, 32 rétegű TLC 3D V-NAND chip. Egyetlen chipben 8 darab lapka található, azaz a Samsung egyelőre 16 lapkából oldja meg a 250 GB-os tárhelyet. Nem maradt ki a 840 EVO-nál megismert TurboWrite SLC puffer, ami a 250 GB-os esetében 3, míg az 500 GB-os modellnél 6 GB-ot takar. Ennek segítségével a puffer kapacitásának erejéig 520 MB/s-os írási tempóra képes az SSD, ami főleg a két kisebb modell esetében jöhet jól.
A 120, 250, illetve 500 GB-os verziókban egy újabb, MGX jelzésű vezérlő kapott helyet, ami alacsonyabb csíkszélességen készül, illetve eggyel kevesebb ARM magot tartalmaz, mint az 1 TB-os verzióban, illetve a 840 EVO és 850 PRO széria tagjaiban található, MEX jelzésű központi egység. Az MGX kontroller két maggal is elboldogul a kisebb kapacitású modellekkel, miközben minden funkciót támogat, amire manapság szükség lehet, emellett energiatakarékosabb, nem utolsósorban pedig előállítása olcsóbb. A vezérlő mellett szokás szerint egy DRAM chip (cache) látható, mely egy energiatakarékos LPDDR2-1066 szabványú Samsung egység, a 250 és 500 GB-os modell esetében 512 MB kapacitással.
[+]
Szokás szerint nagy kérdés, hogy vajon hány programozási (P/E) ciklusra képesek a NAND cellák, de ahogy az esetek 90%-ban, úgy erre vonatkozóan most sem áll rendelkezésre hivatalos információ. A fellelhető különféle egyszerű tesztek és adatok alapján valahol 2-3000 között vagy környékén lehet ez az érték, ami nagyjából megfelel a 20 nm alatti planáris MLC lapkák képességének.
A cikk még nem ért véget, kérlek, lapozz!
