A TSMC a 2023-as North America Technology Symposium alkalmával prezentálta gyártástechnológiákra vonatkozó útitervét, amelyben körvonalazódik, hogy az elkövetkező két év során milyen fejlesztésekkel áll majd elő a vállalat.
Az idei esztendőt tekintve a 4 és 3 nm-es node-on újabb kiadásai érkeznek, így az N4P mellé az N4X, az N3 mellé pedig az N3E jön. Mint ismeretes az N4X egy HPC-piacra paraméterezett node, míg az N3E a 3 nm-es eljárás második generációs kiadása, amely elég sok flexibilitást kínál a megrendelők számára, így sok különböző lapkához bevethető.
A következő két év során a 3 nm-es opció kiegészül még az N3P és az N3X verzióval, előbbi a teljesítménycentrikus kialakítás, míg utóbbi a HPC-piacra szánt lapkákat tartja szem előtt. Bár az útiterven nem jelenik meg, de már idén elérhető lesz az autóiparnak szánt N3AE (Auto Early), amelynek 2025-ben érkezik a második generációs, N3A (Auto) kiadása.
[+]
A csúcsteljesítmény tekintetében talán fontosabb a 2 nm-es node, amellyel a TSMC FinFET-ről a saját GAAFET implementációjára vált. A tajvaniak szerint az N2 eljárás 15%-kal jobb teljesítményt kínál az N3E-nél egységnyi energiaigény mellett, de akár 30%-kal jobb fogyasztás is elérhető általa azonos teljesítményszinten, miközben 15%-kal jobb tranzisztorsűrűséget kínál. A bérgyártó az első GAAFET node-jának elérhetőségét 2025-re ígéri.
A kevésbé teljesítménycentrikus gyártástechnológiák tekintetében érkezik az N4PRF, amely a rádiófrekvenciás lapkákhoz szánt N6RF-nél 77%-kal jobb tranzisztorsűrűséget, és 45%-kal kisebb fogyasztást kínál majd, ezzel jó alapot adva az iparágnak az új generációs Wi-Fi 7 RF lapkákhoz.
