Tömeggyártásra alkalmas a Samsung első 3 nm-es eljárása

A GAAFET tranzisztorstruktúrát használó node jelentős előrelépést biztosít az 5 nm-es opcióhoz viszonyítva.

A Samsung bejelentette, hogy tömeggyártásra alkalmas a 3 nm-es eljárásuk, amely egyben az iparág első, GAAFET tranzisztorstruktúrát használó megoldása is. Mindez jelentős fegyvertény a dél-koreai óriáscégtől, hiszen ezzel papíron az iparág csúcsára ugrottak, elvégre előttük senki sem volt képes ilyen fejlett gyártástechnológiát biztosítani.

A Samsung szerint az első 3 nm-es eljárásuk a saját 5 nm-es node-jukhoz viszonyítva akár 45%-kal jobb fogyasztási paramétereket és 23%-kal jobb teljesítményt kínál majd, miközben a lapkaterület 16%-kal mérséklődhet. Azt persze fontos megemlíteni, hogy a szóban forgó 5 nm-es gyártástechnológia eleve a 7 nm-es eljárás half-node-ja, tehát célszerűbb és egyben talán sportszerűbb lett volna a 4 nm-es fejlesztésükhöz mérni a javulás mértékét.

A vállalat már javában tervezi a második generációs 3 nm-es node-ot is, amely szintén az 5 nm-hez viszonyítva 50%-kal jobb fogyasztási paramétereket, 30%-kal jobb teljesítményt és 35%-kal kisebb lapkaterületet kínál majd, de ez az eljárás majd csak jövőre lesz elérhető tömeggyártás szintjén.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés