A Taiwan Economic Daily információi szerint a TSMC rendkívül jól halad a 2 nm-es node fejlesztésével, ugyanis a gyártástechnológia a tömeggyártási fázis előtt elérte a 90%-os kihozatalt, igaz ez egyelőre a memóriaalapú lapkákra igaz.
A fenti eredmény kifejezetten erős, főleg annak tükrében, hogy ez lesz a TSMC-nek az első olyan node-ja, amely GAAFET tranzisztorstruktúrát használ. Nem véletlen az érdeklődés sem az említett node iránt, amelyre a következő év során számos lapka fog épülni.