Az IJiWei információi szerint a Samsung felgyorsítja a 2 nm-es, GAAFET tranzisztorstruktúrát kínáló node bevetését, ugyanis megkezdték a Hwaseongban található S3 üzemen belül a gyártósorok telepítését, és ez a következő esztendő első negyedévére havi 7000 wafert munkálhat majd meg.

Az említett média azt is tudni véli, hogy a dél-koreai óriáscég a Pyeongtaek 2-es gyárkomplexumban található S5 üzemében készíti elő az 1,4 nm-es node-ot kínáló gyártósorát, amely a jelenlegi tervek szerint havi 2000-3000 wafert munkálna meg a következő év második felében.

A fentieken túl a vállalat a hwaseongi S3 üzem 3 nm-es gyártósorait átalakítja 2 nm-es eljáráshoz, és ezzel a következő év végéig végeznének.