Seok-Hee Lee, az SK Hynix elnök-vezérigazgatója nemrég tartott egy előadást az IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) International Reliability Physics Symposium (IRPS) rendezvényén, ahol többek között szóba kerül a DRAM és a 3D NAND flash technológiák jövője. A fő kérdés mindkét esetben a skálázhatósághoz szükséges irány, és ezekre vonatkozóan már vannak adatai, illetve tervei a cégnek.
A 3D NAND flash esetében egyértelműen a cellarétegek növelése a cél, de kérdés, hogy meddig lehet elmenni. Az SK Hynix már rendelkezik 176 cellarétegű 3D NAND lapkával, ami 512 gigabites kapacitást kínál. Erről a termékmintáról az előző év végén be is számoltunk. A következő lépcsőfog tehát adott, viszont a cég úgy gondolja, hogy az éppen fejlesztés alatt álló különböző technológiák bevetésével elérhető a 600 cellaréteg is. Ez a távolabbi jövőt jelenti, viszont egy olyan célról van szó, ami reálisan tartható lehet.
[+]
A DRAM lapkák esetében a további fejlődés legnagyobb gondját az adja, hogy extrém nehéz ezekkel az áramkörökkel skálázódást elérni a 10 nm-es csíkszélesség alatt. Ebben segíthet az EUV litográfia, amit a legmodernebb node-okon már alkalmaznak a bérgyártók a nagyobb teljesítményű lapkák gyártásánál, de a memóriák esetében új anyagok alkalmazására is szükség lesz. Az SK Hynix azonban úgy gondolja, hogy az EUV litográfiára támaszkodva bőven 10 nm alá tudnak menni a jövőben. Ez is egy távolabbi célként létezik a tervekben, és számolni kell azzal is, hogy az EUV-levilágítók nem olcsó eszközök, vagyis a memóriák gyártása várhatóan drágulni fog.
