A Hynix jól halad a 10 nm-es osztályú gyártástechnológiájának fejlesztésével, így a Samsung után másodikként lesznek képesek ilyen kis csíkszélességen memóriákat gyártani. Várhatóan a kísérleti gyártás a következő esztendő második negyedévében kezdődik meg, ami azért lényeges, mert a Samsung az első 10 nm-es osztályú node-ját az idei esztendő első negyedévében vetette be, vagyis egy év három hónapra csökkenhet a Hynix lemaradása a korábbi másfél év helyett.
Természetesen a verseny nem áll le, ugyanis a Samsung készíti már a még kisebb csíkszélességű 10 nm-es osztályú node-ját, és később ugyanígy tesz majd a Hynix is, de a cég tovább szeretné csökkenteni a hátrányát, így folyamatosan gyorsítják a fejlesztéseket.
