Újfajta, antimon alapanyagú, fázisváltásos elven működő, és nem felejtő (non-volatile) memóriát sikerült létrehozni az IBM zürichi kutatólaboratóriumának és a RTWH Aachen Germany Egyetemének együttműködésében. Az újdonság fő érdekességét az adja, hogy míg az eddigi fázisváltásos memóriák többféle elemből álltak, és előállításuk, illetve különösen a struktúrák méretének csökkentése emiatt meglehetősen nehézkes volt, addig az újdonság kizárólag olvadékból igen gyorsan (10¹⁰ kelvin/mp!) lehűtött, amorf formát felvevő antimonból áll, amely 3-10 nm vastag lemezkéket alkot. Ezeket a lemezeket a kutatók 40-200 nm közötti vastagságú szilíciumoxid rétegek között helyezték el, majd elektromos áram segítségével képesek voltak két forma (kristályos, illetve amorf) között váltogatni őket. A bitek tárolásának lehetőségét természetesen az adja, hogy az amorf és a kristályos antimon eltérő elektromos tulajdonságokkal rendelkezik.

[+]

Persze ahhoz, hogy az antimon-alapú memória a boltokban is megjelenjen, még le kell küzdeni pár akadályt. Az első ezek közül, hogy bár a kutatóknak a különleges előállítással sikerült lelassítani az amorf antimon önállóan történő kristályosodását, az így létrejött fémüveg élettartama szobahőmérsékleten még mindig csak 51 óra. A másik gond, hogy a két forma közötti váltáshoz egyelőre 50 ns-ra van szükség – ezt körülbelül 10 ns-ra kéne leszorítani a mai memóriákkal összevethető sebességhez.