A Samsung leleplezte a nyolcadik generációs V-NAND flash lapkáját, amely az elődhöz képest már nem 160, hanem 236 cellaréteget használ, viszont marad a cellánkénti három bit tárolása, azaz TLC-s megoldásokról van szó.

[+]

A fentebb említett cellaréteget két darab NAND tömbbel érte el a dél-koreai óriás, ami várható volt, hiszen egy NAND tömb esetében csak korlátozott számú cellaréteg hozható ki. Az új, 1 terabites kapacitású fejlesztés a Samsung szerint az iparág legnagyobb bitsűrűségét biztosítja, és a legújabb NAND flash szabvány által lehetővé tett Toggle DDR 5.0 interfészén 2,4 gigabit/másodperc tempóra is képes, ami az előző generációs fejlesztéshez viszonyítva 20%-os növekedést jelent.

A Samsung már megkezdte az új V-NAND lapka tömeggyártását, így a partnerek már igényelhetik az újdonságot.