A JEDEC nagyjából fél évvel korábban jelentette be a DDR4-es memóriaszabvány főbb paramétereit. Ezek után várható volt, hogy az idei ISSCC-n élesben is működni fognak a készülő memóriák, és ez így is lett, mivel a Samsung és a Hynix bemutatott egy-egy DDR4 szabványú memóriamodult.
A termékek természetesen prototípusok voltak, így a tömeggyártásra még nem áll készen a technológia. Ettől függetlenül a Samsung DDR4-es SO-DIMM modulja 2133 megabit/másodperces teljesítménnyel dolgozott 1,2 V-os üzemfeszültségen. Ez önmagában 40%-os csökkenés a fogyasztás szempontjából, de mindezt az előző generációhoz képest nagyobb teljesítményen, ugyanis a mai leggyorsabb DDR3-as SO-DIMM modulok 1600 MHz-es effektív órajelen üzemelnek. A Hynix DDR4-es SO-DIMM modulja 2400 megabit/másodperces tempóval dolgozott 1,2 V-os feszültségen.
A Samsung és a Hynix rendre 30 és 38 nm-es gyártástechnológiát használt a DDR4-es lapkákhoz, de tömeggyártásba 20 nm-es osztályú chipek kerülnek majd, előreláthatólag az év végén. A DDR4-es memóriák forgalmazása 2013-ban kezdődik meg, míg komolyabb terjedésre az elemzők 2014 közepétől számítanak.
