A Samsung még az év elején jelentette be 12 nanométeres osztályú, EUV litográfiát alkalmazó node-on készülő, DDR5 szabványú memórialapkáját, amely effektív 7,2 GHz-es órajelet célzott.
A dél-koreai óriáscég elérte a korábban közölt paramétereket, és megkezdték a tömeggyártást, amivel a szóban forgó, 16 gigabites lapka hozzáférhetővé vált a partnerek számára. A előző generációs dizájnhoz képest 23 százalékkal kevesebb energiaigényt is sikerült abszolválni, ráadásul a wafertermelékenység is 20%-ot javult.
