Hirdetés
A The Korean Economic Daily riportja szerint a Samsung 2026-ban 400 cellaréteg fölé vinné készülő V-NAND flash lapkáját. Ezt elvileg a BV, vagyis a Bonding Vertical technológiával érnék el, ugyanis egy NAND tömbből ennyi cellaréteg nem hozható ki, így minimum két tömbre kell bontani a dizájnt.
A készülő rendszer esetében várhatóan a tároló- és periférikus áramköröket gyártják külön, majd ezek később lesznek függőlegesen összeillesztve. Ez a jelenlegi technológiához viszonyítva 60%-kal növelheti a bitsűrűséget egységnyi területen.
A Samsung egyébként 2030-ra 1000 cellaréteg fölé menne, amit a vállalat vezetősége is megerősített korábban.