A GlobalFoundries bejelentette, hogy elkészültek a 22 nm-es FD-SOI node-ra tervezett, beágyazott MRAM fejlesztéseikkel, így a partnereik az idei év során számos dizájnt fognak véglegesíteni.
Az MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory) technológia a jövő egyik nagy ígérete, mivel mágneses elven működő rétegeket alkalmaz, amelyek a polarizáció módosításával képesek az adattárolásra. A rétegek párosával értendőek, vagyis az egy bitet tároló cellákon belül kettő található ezekből. Az egyik réteg polaritása állandó, míg a másik rétegé áram segítségével megváltoztatható. Ennek megfelelően a cellán belül két állapot állhat fent, azaz a rétegek polaritása vagy megegyezik, vagy eltér. Ez a különbség teszi lehetővé az információk tárolását. Hosszabb távon az MRAM tűnik az egyik legjobb opciónak a több problémával küszködő flashmemóriák leváltására, és ami kifejezetten kedvező az előbbi megoldásokkal szemben, hogy az MRAM cellák nem igazán fáradnak el- Persze az írási ciklusok számára így is meg lesz adva egy maximális szám, de rendkívül nagy lesz a terhelhetőség.
Az MRAM potenciális felhasználási területei [+]
A GlobalFoundries szerint tesztlapkájuk elég jól teljesít, ECC nélkül tíz évig képes megőrizni az adatokat extrém körülmények, azaz -40 és 125 °C között, illetve százezer írási ciklust is bőven kibír. Mindemellett számos, iparági szabványnak tekinthető megbízhatósági tesztet is teljesíteni tud, valamint a mágneses behatásokkal kapcsolatos problémákat is sikerült kezelni.
A bérgyártó 4 és 48 megabit közötti kapacitású eMRAM dizájnokat kínál a potenciális partnereknek, amelyek terhelhetősége első körben -40 és 105°C közé tehető, de később elérhető lesz a 125°C-ig is hitelesített opció.
A beágyazott MRAM-ot a vállalat elsődlegesen mikrovezérlőkbe, illetve az IoT piacra szánt lapkákba szánja. Jelenleg az elérhető kapacitás még nem engedi meg más piacok megcélzását, de a technológiában jelentős tartalék van, így a jövőben új területek kerülnek célkeresztbe.
