A mai napon a Samsung bejelentette a világ első 4 gigabites, DDR3 szabványú memórialapkáját, mely a vállalat 50 nm-es gyártástechnológiájával készül. Az új chipek 1,35 V-os feszültségen üzemelnek, maximális adatátviteli sebességük pedig elérheti az 1,6 Gbit/másodperces értéket is. A lapkák jelenleg a 16 GB-os RDIMM, a 8 GB-os DIMM és a szintén 8 GB-os SO-DIMM modulokon kapnak helyet. A dual-chip felépítést alkalmazva azonban 32 GB-os memóriák is építhetők az új termékből.
Az új memórialapkákkal készülő modulok – a gyártó elmondása szerint – 40 %-kal kisebb fogyasztással rendelkeznek majd az azonos kapacitású, de 2 gigabites chipekkel felszerelt memóriákhoz képest. Ez annak köszönhető, hogy a megegyező méretű memóriamodulok gyártásához mostantól kevesebb lapkára lesz szükség.
A Samsung reméli, hogy az új fejlesztés fellendíti a DDR3 szabványú memóriák piacát. A változásra mindenképpen szükség van, hiszen ezek a termékek egyelőre sokkal rosszabbul teljesítenek az előrejelzésekhez képest. Az IDC legfrissebb felmérései szerint a DDR3-as chipek piaci részesedése hozzávetőlegesen 29 %-os lesz a 2009-es évben.
