Keresés

Hirdetés

Új hozzászólás Aktív témák

  • And

    veterán

    válasz ReJim #3959 üzenetére

    Első lépésként le kell tisztázni az áramkör nem megadott paramétereit: tápfeszültség, kívánt kimenőteljesítmény (túl sokra ilyen kapcsolással ne számíts).
    Ez az egytranzisztoros erősítő csakis teljesen lineáris (A-osztályú) üzemben működhet, ami annyit jelent, hogy a fet drain-feszültsége a GND-hez képest tipikusan féltápfeszen lesz: a fet nyugalmi drain-árama az Rd-ellenálláson szintén féltápfeszültséget ejt. Az IRF710 2A folyamatos drain-áramot visel el, a nyitott csatorna ellenállása 3.6Ω körül van. Pár tized Amperes áramnál nagyobbat nem érdemes nyugalmi áramnak beállítani, mert az Rd (meg természetesen a fet is) már úgyis több W nagyságrendű hőt lesz kénytelen eldisszipálni. Ezt a nyugalmi áramot (munkapontot) a gate-elektródán lévő Ra, Rb ellenállások állítják be. Ezek helyett elsőre célszerű egy 1-200kΩ nagysárendű potmétert betenni, hogy a fet megfelelő Ugs-feszültsége belőhető legyen (ha csak szimulátorban ''rakod össze'', maradhat a két ellenállás ;)). A pártized A-es megcélzott drain-áramhoz tartozó Ugs-feszültség az adatlap alapján 4-4,5V körül várható, Ra/Rb értékét ennek megfelelően lehet kiszámítani a tápfesz ismeretében (ami minimum 12V körül javasolt, de sokkal fölé sem érdemes menni). A konkrét értékük annyira nem számít, csak az arányuk, mivel feszültségosztóként szolgálnak. A gate felé DC-áram szinte nem is folyik, ezért célszerű a gate-ellenállások értékét 10-100kΩ nagyságrendben tartani, hogy a jelforrás felé ne nagyon terheljenek be. A kapacokat úgy kell megválasztani, hogy a kör ellenállásainak eredőjével alkotott (felüláteresztő) RC-tagok töréspontja kellően alacsonyan legyen az átvinni kívánt legalsó frekvencián. C1 nagyságrendje (az Ra, Rb értékétől függően) x*100nF.. pár µF -ig, a C2-é pedig úgy 1-2*1000µF.

    [Szerkesztve]

Új hozzászólás Aktív témák