Új hozzászólás Aktív témák

• #2 Petykemano veterán

  Új Válasz 2021-12-02 09:08:53 #2

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  konkrét infók hiányában nehéz megítélni, hogy a SAmsungnak igaza van-e vagy sem.
  Az Intel - elvileg - nem csak hasraütésszerűen igazított az elnevezésein, hanem (névleges) tranzisztorsűrűség alapon hozzáigazította azokat a TSMC és Samsung (névleges) számaihoz. Lehet, hogy praktikusabb lenne a régi ma már csak fantázianevekről áttérni inkább a Mtr/mm2 alapúra.

  Ez persze még mindig keveset mond el egy gyártástechnológiáról
  - mert lehet különbség a fogyasztásban
  - elérhető frekcenciában
  - és különböző libraryk használatlával lehet a névlegesnél sokkal kevésbé, esetleg talán picit sűrűbben is rakni a tranyókat.

  Tehát akár az is lehet, hogy a Samsung nem kamuzik és tranzisztorsűrűség alapon ez a 4LPX tényleg van olyan jó, hogy már be lehet sorolni a 4-es számmal illetett kategóriába.
  Ne felejtsük el, hogy - Nvidia/AMD gpuk alapján - a Samsung 10LPP-ből fejlesztett úgynevezett 8nm-es (8N) gyártástechnológiája sűrűség tekintetében nagyon közel van a TSMC N7-éhez. Más kérdés, hogy a tranzisztorok fogyasztása milyen.

  Tehát a Samsung ott lehet lókötő, hogy a 4LPX van olyan sűrű, mint a TSMC N4, de mivel valójában eredetileg 7LPP-ből eredeztetett fejlesztés, ezért energiahatékonyság tekintetében nem veszi fel a versenyt.

  Egyébként a Samsung sajnos elég sokat kavart a 7-5-4 elnevezésekkel eddig is.

  2019:
  ITt még 7-6-5-4
  2021:
  itt már nincs 6, vagy már 5 és a 4 külön branch
  

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #8 Petykemano veterán Abu85 #3

  Új Válasz 2021-12-02 10:08:49 #8

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Abu85 #3 üzenetére

  Bocs, én eddig úgy tudtam, hogy az Intel 7 rendelkezik megközelítőleg olyan tranzisztorsűrűséggel, mint a TSMC N7 [link]

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #10 Petykemano veterán Alogonomus #5

  Új Válasz 2021-12-02 10:15:33 #10

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Alogonomus #5 üzenetére

  Azért az 51,5 és a 45,1 közötti 14% nem kis különbség.
  
  Te miről beszélsz? a 10nm és 7nm, valamint a 7nm és 5nm között ~70%-os tranzisztorsűrűség-különbségek vannak.
  Az a 14% pont megfelel az elnevezések közötti 1nm differenciának, vagy másként fogalmazva a tényleges tranzisztorsűrűség közötti differenciát jól jellemzi az elnevezések közötti "1nm" különbség.
  Az a 14% ahhoz képest, hogy a 8N valójában egy 10nm-es node továbbfejlesztése egészen közel van a 7nm-hez.

  (Nyilván a MTR/mm2 eredmények persze nem függetlenenek a választott librarytól. Az AMD által elért tranzisztorsűrűség sokkal kevésbé közelíti meg a node névleges sűrűségét, mint az Nvidia esetében.)

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #21 Petykemano veterán Busterftw #20

  Új Válasz 2021-12-02 14:47:54 #21

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Busterftw #20 üzenetére

  Borítékolom a választ Abutól:
  "Ezek csak névleges értékek, amiket gyűrűs oscillátoron mértek"

  És abban Abunak igaza van, hogy egy ideje a valós intel chipek TR mennyisége nem ismert, és így nem lehet valós MTR/mm2 értéket számolni.

  De hát gondolom az össze bérgyártó névleges értéke gyűrűs oscillátoron mért eredmény.
  Tehát szerintem az Intel részéről ez egy korrekt korrekció volt:

  

  A tényleges lapkák tranzisztorsűrűsége meg sokmindentől függ. Biztos nem mindegy, hogy milyen elemből mennyit pakolsz és az sem, hogy milyen library-t használsz
  Az Apple lapkái például nagyon megközelítették a TSMC névleges sűrűségét 7nm-en.
  Az AMD ~95 helyett 40-60 között mozgott. De láthatod, hogy csak SRAM-ot tartalmazó v-cache lapkák esetén majdnem kétszer annyi kapacitást tudtak belerakni ugyanakkora területbe.

  Én persze csak egy hülye laikus vagyok és Abu biztos kétszer annyi információval rendelkezik, de nekem nem tűnik úgy, hogy abban az értelemben le lennének maradva, hogy amit 7nm kategória (Intel 7) alatt árulnak az valójában másfél generációval elmarad ahhoz képest, amit a TSMC/SS ugyanezen kategóriában kínál.

  Az viszont igaz, hogy eközben a TSMC már 1 éve tömeggyárt N5-ön és jövőre érkeznek termékek N4-en, miközben az intelnél még csak most pörög föl a 7nm-es kategória. Tehát így értelmezve a másfél generációs lemaradás szerintem helytálló megállapítás.

  Én továbbra is azt gondolom, hogy a Samsung úgy játszik a besorolásokkal, hogy azt azért - persze gyűrűs oscillátoron mérve - alá tudja támasztani MTR/mm2 értékekkel.
  Viszont minden más aspektusból a Samsung gyártástechnológiája rosszabb:

  Itt van egy kis összehasonlító táblázat
  A középső 2 sort érdemes nézni ahol a TMSC N6-on készült middle magok ~200mhz-cel magasabb frekvencia mellett láthatóan kevesebbet fogyasztanak, mint a Samsung 5LPE gyártástechnológián készült magok.

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #23 Petykemano veterán Busterftw #22

  Új Válasz 2021-12-02 15:41:22 #23

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Busterftw #22 üzenetére

  "Egyertelmuen a TSMC/Samsung szaladt elore a nevezektannal, hence ok kezdtek ezt."
  
  Igen, az ugrás egyértelműen a 20nm-nél történt.
  Ha jól emlékszem (elnézést, ha tévedek) az Intel 32nm-e planar volt még, viszont a 22nm önmagában is kisebb tranzisztorsűrűséget jelentett, de már finfet.
  A TSMC (és a SS) viszont planar 20nm-t csináltak, ami végül nagyon kevéssé volt használható. És akkor itt jött a varázslás, hogy a 20nm BEOL-ra húzták fel a Finfet FEOL-t (gondolom ez valami olyasmit jelent, hogy valójában a tranzisztorsűrűség nem nőtt, csak már nem planar tranzisztorokat használtak, hanem finfetet) és ezt aztán elnevezték 16/14nm-nek.

  Tehát valahogy úgy lehetett, hogy a tényleges tranzisztorsűrűség a következők között lehetett hasonló:
  - intel 22nm és a TSMC/SS 16/14nm
  - Intel 14nm és TSMC/SS 10nm
  - Intel 10nm és TSMC/SS 7nm
  és el is jutottunk a nevezéktan kiigazításának pontjára.

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #25 Petykemano veterán Alogonomus #24

  Új Válasz 2021-12-02 19:05:27 #25

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Alogonomus #24 üzenetére

  Az a baj, hogy ez önmagában nem mond el mindent, kizárólag ebből nem lehet a Samsung 8N és TSMC N7 gyártástechnológák képességeire nézve következtetéseket levonni.

  Az AMD esetén ugyanis
  Vega 20: 40MTR/mm2
  CDNA1: 34MTR/mm2
  Navi 10: 41MTR/mm2
  Navi 22: 51MTR/mm2
  Navi 23: 47MTR/mm2
  Renoir: 63MTR/mm2
  Cezanne: 59MTR/mm2

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

• #30 Petykemano veterán Alogonomus #26

  Új Válasz 2021-12-02 20:44:57 #30

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  Petykemano

  veterán

  válasz Alogonomus #26 üzenetére

  Én azt nem vitatom, hogy az a két Ampère lapka jó összehasonlítás. Csak azt mondtam, hogy a végleges tranzisztorsűrűség vonatkozásában nem csak a névleges sűrűség (a gyártástechnológia ) számít.

  [ Szerkesztve ]

  Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..

Új hozzászólás Aktív témák