Keresés

Hirdetés

Új hozzászólás Aktív témák

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Reggie0 #29 üzenetére

    6 nagyságrend - mihez képest?
    Az, hogy egy kész csip mennyit tartalmaz egy bizonyos anyagból -pl mint ahogy jelen esetben az InGaAs-ról beszélünk- az nem azt jelenti, hogy annyit is használnak föl hozzá, hanem egyes esetekben akár nagyságrendekkel többet. Egyszerűen azért, mert a fotolitográfiában rendszerint az az eljárás, hogy "odateszünk már egy minyurka n-típusú félvezetőt", hanem ellenkezőleg: lemaratják a fölösleges részeket, vagyis sokszor majdnem az egészet! De végül is mindegy, mert mint írtam, a wafer költsége egyre kisebb szeletét adja a gyártás teljes költségének. Emiatt, Ha jól emlékszem, 28 nm-en és azalatt már az FD-SOI olcsóbb, mint a FinFET, pedig milyen körülményesen állítják elő a wafert az előbbihez!
    Mint írtam, olcsó hordozóra épített vékony rétegekkel a kritikus anyagok tényleges költsége alacsonyan tartható, pl egy 300 mm-es waferen 100 mikron vastagon felvitt félvezetőréteg tömege nem több néhány tucat grammnál. Ez néhány millió ostyánál (kb ennyi a TSMC 28 nm-es kapacitása évente) néhányszor tíz tonna mennyiség, amihez képest a bányászat azért egy nagyságrenddel több. Ha vékonyabb réteg is elég, akkor még kisebb a nyersanyagigény.
    Végül de nem utolsó sorban az újrahasznosítás is nagyon fontos, mint ahogy korábban már írták: az indium, a gallium, és az arzén nem arról híresek, hogy megoldott és nagy arányú az újrafelhasználásuk! Nyilván ehhez ki kell dolgozni a megfelelő technológiát, de ha igény lesz rá, és nem lesz más út, meg fogják tenni...

Új hozzászólás Aktív témák