Keresés

Hirdetés

Új hozzászólás Aktív témák

  • ukornel

    aktív tag

    Lassan ott tartunk, hogy a Samsung, ami a gyártást illeti, fejlettségben és volumenben a TSMC elé kerül?

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Aryes #9 üzenetére

    A HKMG technikában használt hafnium sem a gyakoriságáról híres, a földkéregben vett átlagos koncentrációja szerintem kisebb mint a legtöbb ritkaföldfémél - mégsincs ezzel gond. Az ezekből az anyagokból készülő struktúrák gyakorlatilag nyomnyi mennyiségűek a csipeken.

    Angel1981 #14
    Ez igaz, de figyelembe kell venni a financiális oldalt, amire gaba kartárs mutatott. Mindig lehetséges a tovább lépés, de a jelenlegi keretek között egyre drágább.

    [ Szerkesztve ]

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Reggie0 #19 üzenetére

    Hmmm... a hafniumot nagyjából tudtam, de az indiumról nem gondoltam volna, hogy ilyen ritka.
    Ugyanakkor, ezeket az anyagokat viszonylag "nagy tömegben" (ez persze relatív) is használják. Egy egyetemi laborban, ahol dolgoztam, használtak valamire indium fóliát - nem volt olcsó, de nem az jött le, hogy aranyárban van. Egy haveromnak szabadalma van gallium (folyékony) anódos röntgencsőre - egy olyanba valószínűleg több kg-nyi mennyiség kell a gallliumból. Ehhez képest itt arról beszélünk, hogy apró csipek mikroszkopikus tranzisztorainak még kisebb egyes részeihez olyan kis mennyiség kell ezekből az anyagokból, hogy valószínűleg sok millió lapka igényel belőle egy kilónyit.
    Az arzénnek, ha jól tudom, vannak dúsulásai üledékes kőzetekben, ezért könnyebben előállítható és régóta ismert.
    Egyébként, a ritkaföldfémek gyakoriságából indultunk ki, és ezek nem ritkaföldfémek.

    Zimmy88 #17
    "gen, de azt sem szabad elfelejteni, hogy a ritkaföldfémek viszonylag kevés helyen bányászhatók gazdaságosan, és a jelenleg feltárt lelőhelyek többsége Kína területén van. Így egy esetleges embargónál jelentős hátrányba kerülhetnek a nem kínai félvezetőgyártók."

    Igazából nem értek hozzá, de a ritkaföldfémek bányászata nem is annyira lelőhely, mint technológia kérdése, és Kína az olcsó munkareő, a laza környezetvédelmi szabályozás és az egyébként is komoly bányászati ipar miatt vált szinte kizárólagos ritkaföldfém-exportőrré. Egy embargó esetén megérné nem kínai cégeknek a technológiába fektetni, és kiaknázni az egyébként szintén jelentős kanadai, orosz, brazil, afgán, stb lelőhelyeket.

    derive #18
    " A quadot nem hiszem, hogy bevallaljak, az Intel azzal szopikazik 14 nmen."

    Jesszusom, már quadruple patterningnél járunk??? :Y
    Nem csoda, hogy nehéz leszorítani a selejtarányt.
    Úgy tudom, a TSMC 28nm-es technológiája nem alkalmaz double patterning-et.

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Reggie0 #25 üzenetére

    Oké, de még akkor sem érzem problémásnak a szükséges nyersanyagmennyiség biztosítását, ha nem adalékanyag mennyiségben lesz rá szükség, hanem az egész wafer abból készül, tekintve, hogy az egyre bonyolultabb és drágább gyártástechnológiákban a wafer költség arányaiban egyre kisebb. Költségcsökkentő trükköket még így is bevethetnek, pl olcsó Si hordozóra növesztik a vékony InGaAs réteget.

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Reggie0 #29 üzenetére

    6 nagyságrend - mihez képest?
    Az, hogy egy kész csip mennyit tartalmaz egy bizonyos anyagból -pl mint ahogy jelen esetben az InGaAs-ról beszélünk- az nem azt jelenti, hogy annyit is használnak föl hozzá, hanem egyes esetekben akár nagyságrendekkel többet. Egyszerűen azért, mert a fotolitográfiában rendszerint az az eljárás, hogy "odateszünk már egy minyurka n-típusú félvezetőt", hanem ellenkezőleg: lemaratják a fölösleges részeket, vagyis sokszor majdnem az egészet! De végül is mindegy, mert mint írtam, a wafer költsége egyre kisebb szeletét adja a gyártás teljes költségének. Emiatt, Ha jól emlékszem, 28 nm-en és azalatt már az FD-SOI olcsóbb, mint a FinFET, pedig milyen körülményesen állítják elő a wafert az előbbihez!
    Mint írtam, olcsó hordozóra épített vékony rétegekkel a kritikus anyagok tényleges költsége alacsonyan tartható, pl egy 300 mm-es waferen 100 mikron vastagon felvitt félvezetőréteg tömege nem több néhány tucat grammnál. Ez néhány millió ostyánál (kb ennyi a TSMC 28 nm-es kapacitása évente) néhányszor tíz tonna mennyiség, amihez képest a bányászat azért egy nagyságrenddel több. Ha vékonyabb réteg is elég, akkor még kisebb a nyersanyagigény.
    Végül de nem utolsó sorban az újrahasznosítás is nagyon fontos, mint ahogy korábban már írták: az indium, a gallium, és az arzén nem arról híresek, hogy megoldott és nagy arányú az újrafelhasználásuk! Nyilván ehhez ki kell dolgozni a megfelelő technológiát, de ha igény lesz rá, és nem lesz más út, meg fogják tenni...

  • ukornel

    aktív tag

    válasz Reggie0 #32 üzenetére

    " wafer arak: 2" Si: $40 , 2" InP/InGaAs $2000."

    Ejha, van egy kis különbség...
    2", értsd 2 hüvelyk - ez valamilyen kísérleti gyártás? Ez a nyers, vagy már a levilágított kész wafer - ha az utóbbi, akkor milyen gyártástechnológia?

Új hozzászólás Aktív témák