- Igencsak szerény méretekkel rendelkezik az Aetina Xe HPG architektúrás VGA-ja
- Miniképernyős, VIA-s Epomaker billentyűzet jött a kábelmentes szegmensbe
- Különösen rendezett beltér hozható össze a Cooler Master új házában
- A középkorra és a pokolra is gondolt az új AMD Software
- Új gyártástechnológiai útitervvel állt elő a TSMC
Hirdetés
-
AMD Radeon undervolt/overclock
lo Minden egy hideg, téli estén kezdődött, mikor rájöttem, hogy már kicsit kevés az RTX2060...
-
Különösen rendezett beltér hozható össze a Cooler Master új házában
ph A 49,73 literes térfogatú, látszólag jól szellőző modell tárt karokkal várja a konnektoraikat rejtő ASUS és MSI alaplapokat.
-
Robotkart irányított a majom a kínai Neuralink agyi chipjével
it A mindezt lehetővé tévő Neucybert a Neuralink kínai riválisa, a Beijing Xinzhida Neurotechnology fejlesztette ki.
Új hozzászólás Aktív témák
-
szabi__memo
nagyúr
Arról tudunk valamit, hogy egy Samsung 3nm finFet-hez képest a Samsung 3nm GAAFet milyen előnyöket jelent (ene ha létezne 3nm finFet)? Vagy mivel mindkét technológia száma marketing bullshit így semmit nem tudni?
-
Abu85
HÁZIGAZDA
válasz szabi__memo #1 üzenetére
3 nm körül már szinte minden paramétereben előnyt jelent a GAAFET. Szóval lenne különbség. De sosem fogjuk megtudni.
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.
-
ShiTmano
aktív tag
válasz szabi__memo #1 üzenetére
Volt egy cikk ahol azt írták, hogy GAAFETtel újra lehet érdemben csökkenteni a SRAM cellák méretét, míg FINFETnél már régóta alig, szinte csak a logika zsugorodik.
[ Szerkesztve ]
"Ilyen dolog ez, folyamatos növekedés, egy állandó méretű bolygón :D Rip rendszer..." by Crim
-
ShiTmano
aktív tag
"Ilyen dolog ez, folyamatos növekedés, egy állandó méretű bolygón :D Rip rendszer..." by Crim
-
thunder6230
tag
Kiv vok mi lesz majd sub 1nm kategóriában. Ami bizonyos h 2nm ->1nm az pont 2x annyi tranzisztort enged ami a kategoria legnagyobb ugrasa lesz ha jol feltetelezem.
Ma reggel arra ébredtem, hogy már nem alszom
-
kalimist
aktív tag
Mondták ezt 2019-ben amikor a GAAFET-ről a következő slide-ot tette közzé a Samsung (itt a ph-n is lehoztátok):
Majd 2021-ben egy "picit" módosították:
Mindkét esetben a Samsung meglehetősen gyenge 7nm-hez hasonlítják a GAAFET-et.
2019-ben +35% teljesítmény / -50% energia / -45% terület előrelépést vizionáltak a 7nm-hez képest.
2021-ben már csak +10% teljesítmény / -20% energia / -25% terület az előny a 7nm-hez viszonyítva.A Samsung is lassan felér az Intel mellé nagyotmondásban.
-
Pingüino
senior tag
válasz thunder6230 #6 üzenetére
Nem jól feltételezed. A csíkszélességváltás egyértelműen hoz tranzisztorszám növekedést, de közel sem annyit, mint amennyi a számozásból feltételezhető.