- Karácsonyfaként világíthat a Thermaltake új CPU-hűtője
- Az USA vizsgálja a RISC-V kínai terjedésének kockázatát
- Kicsit extrémre sikerült a Hyte belépője a készre szerelt vízhűtések világába
- Egészen nagy teljesítményspektrumon fedné le a mobil piacot az AMD
- Kihívás a középkategóriában: teszten a Radeon RX 7600 XT
- OLED TV topic
- VR topik (Oculus Rift, stb.)
- Projektor topic
- Gaming notebook topik
- AMD Ryzen 9 / 7 / 5 7***(X) "Zen 4" (AM5)
- AMD K6-III, és minden ami RETRO - Oldschool tuning
- Milyen processzort vegyek?
- Melyik tápegységet vegyem?
- Milyen alaplapot vegyek?
- A Samsung hazánkban is piacra dob idén egy friss Micro LED tévét
Hirdetés
-
Új Beats fej- és fülhallgatók jelentek meg
ma Frissítette a Solo termékcsaládot az Apple házi audiomárkája.
-
Az USA vizsgálja a RISC-V kínai terjedésének kockázatát
ph A Kereskedelmi Minisztérium egyelőre csak felméri a helyzetet, egyelőre nem látni, hogy tudnak-e bármit is tenni.
-
Dragon Ball: Sparking! Zero - Mester és tanítvány
gp Egyelőre még mindig nem kaptunk megjelenési dátumot a játékhoz.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Abu85
HÁZIGAZDA
A Samsungnál az 5LPE az egy 7 nm-es node half-node-ja. Eközben a TSMC-nél az 5 nm egy full node. A Samsung majd a 4LPE-ben hoz újra full node-ot.
A Samsung-féle 3GAE az messze lekörözi a TSMC 3 nm-jét is, majd a TSMC 2 nm-je tud vele mit kezdeni. Ez a GAAFET előnye. A TSMC még megpróbálkozik a FinFET-tel 3 nm-en, ami már nagyon a működőképesség határa. Korábban 4 nm-re mondták azt, hogy tovább nem skálázódik.
[ Szerkesztve ]
Senki sem dől be a hivatalos szóvivőnek, de mindenki hisz egy meg nem nevezett forrásnak.