A február közepén megrendezett ISSCC 2021 rendezvényen a TSMC számos friss információt osztott meg a terveivel kapcsolatban, amelyek egy része mostanra látott napvilágot. Az adatok alapján a vállalat tartja magát a korábbi célokhoz, így a 3 nm-es node fejlesztése jól halad. Annyit persze mindenképpen meg kell említeni, hogy a tajvani bérgyártó az említett csíkszélességen még marad a FinFET tranzisztorstruktúránál, és csak a 2 nm-es eljáráson lépnek GAAFET-re, szemben például a konkurens Samsunggal, amely cég már 3 nm-en meglépi az átállást.
[+]
A TSMC számára valószínűleg fontosabb volt, hogy nagyjából tartani tudják az útitervekhez magukat, aminek különösen nagy jelentősége lett a járvány sújtotta körülmények között. Talán ennek is köszönhető, hogy a 3 nm-es node kísérleti gyártása még idén megkezdődik, a tömeggyártás pedig várhatóan a következő év második felében lesz beindítható. A Samsung a GAAFET-re épülő 3 nm-es node-jával kevésbé halad jól, a kísérleti gyártásra például csak jövőre kerülhet sor.
A TSMC 3 nm-es node-ja az 5 nm-es eljáráshoz viszonyítva 1,7-szer jobb tranzisztorsűrűséget fog kínálni, 27%-kal jobb fogyasztási adatok és 11%-kal jobb teljesítmény mellett. A FinFET korlátjait jól jelzi, hogy az SRAM tekintetében csak 1,2-szer lesz jobb a tranzisztorsűrűség, vagyis az igazán nagy előrelépést majd a 2 nm-es GAAFET eljárás hordozza, viszont átmeneti megoldásnak a 3 nm-es opció is jó lehet.
