Hirdetés

Megkezdte a tömeggyártást a Samsung az 5 nm-es eljárásán

Az 5 nm-es LPE node-ra hamarosan érkezni is fog egy meg nem nevezett lapka.

Hirdetés

A Samsung az aktuális negyedévre vonatkozó pénzügyi jelentésében bejelentette, hogy már tömeggyártásra is alkalmas az 5 nm-es, EUV litográfiát alkalmazó, LPE jelölésű FinFET node-juk, amelyen már készül is egy meg nem nevezett SoC. Utóbbi az ultramobil piacot célozza, és még idén bemutatkozik, de valószínűleg nem házon belüli fejlesztésről van szó, mivel több adat nincs róla. Jó esély van egyébként arra, hogy a Qualcomm következő generációs csúcslapkájáról van szó, konkrétabban a Snapdragon 875-ről.

Az új 5 nm-es eljárás a cég szerint 10%-kal nagyobb teljesítményt, 20%-kal alacsonyabb fogyasztást, illetve 25%-kal jobb helykihasználást tesz lehetővé, ami végeredményben 33%-kal nagyobb tranzisztorsűrűséget jelent a 7 nm-es EUV node-hoz viszonyítva. Ezek az adatok persze egy tényleges chip tekintetében eltérők lehetnek, de az előrelépés számottevő.

Az első 5 nm-es fejlesztéseket a hwaseongi gyárban készülnek, de a következő esztendő második felétől a phjongtheki üzem is bekapcsolódik a termelésbe.

Hirdetés

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés