Keresés

Hirdetés

Új hozzászólás Aktív témák

  • Maverick14

    tag

    válasz Male #29 üzenetére

    Szakközepes emlékeim szerint (sajnos nincs időm netes forrást keresni nektek) a gyártás folyamán egy maszkolási lépés a következő képpen néz ki először fényérzékeny anyagot (''lakk'') visznek fel a szilícium lapka felületére majd erre fotóznak egy maszkot. A fény hatására a ''lakk'' tulajdonságai megváltoznak és egy maratási lépés után szabaddá válik a chip felületének egy része. Ezután vagy szennyező anyagokat diffundálnak a tranzisztorok kialakításához vagy fémgőzölnek a vezetékezéshez. Egy tranzisztor előállításához min. három ilyen lépésre van szükség 1. a source és drain kialakítása, 2. a szigetelő oxid-réteg felvitele, 3. a gate kialakítása. Ezután jön még a huzalozás kialakítása ami a jelenlegi csúcs 9 fémréteges technológia esetén +9 ilyen lépés.
    Ha megnézed a belinkelt doksiban a 3. ábrát láthatod hogy a tranzisztor gate-jénél jóval kisebb részletek is vannak pl. a szigetelő oxidrétegnél ami a gate-et választja el a channel-től. Ezért a levilágítás pontosága kb. egy nagyságrenddel nagyobb kell hogy legyen a gate length-nél. Tehát ne úgy képzeld el a gyártáshoz használt maszk-ot amin 45nm x 45nm-es pixel-ek vannak ez a raszter kb. 4nm x 4nm-es lehet ezt hívják lamda paraméternek.
    Tehát ha valaki tranzisztor szinten tervezi az áramkörét (ahogy azt a nagy processzorgyártók is teszik) akkor neki a lamda az egység és minden további nélkül tud csinálni 45nm-nél nagyobb tranzisztorokat. A gyártás során kijövő újabb és újabb reviziók pontosan ilyen tranzisztor méret optimalizációkat tartalmaznak az esetek többségében.
    A pontos layout pedig hétpecsétes ipari titok. Nem fogod soha megtudni hogy milyen áramköri részeknél pontosan milyen paraméterű tranzisztorokat használnak.

    My other car is an F-14 Tomcat!

Új hozzászólás Aktív témák