A TSMC amellett, hogy megpróbál elegendő kapacitást biztosítani a partnerek számára, gőzerővel dolgozik az új gyártástechnológiák fejlesztésén. A korábbi ütemtervek szerint a tajvani bérgyártónak jelenleg a 32 nm-es eljárás bevezetésén kellene ügyködnie, ám ezt a technológiát korábban törölték, ami nagymértékben feldúlta a legfőbb partnerek előzetes terveit. A rövidtávú cél egyértelműen a 28 nm-es eljárás lehető leggyorsabb bevezetése, amire várhatóan az év végén kerülhet sor.

A 22 nm leállt, de a munka még mindig tart

A távolabbi jövő szempontjából az új ütemterv számos érdekességgel szolgál. A legszembetűnőbb változás, hogy eltűnt a 22 nm-es technológia, így a vállalat a 20 nm-es CMOS eljárásra koncentrál, ami High-K dielektrikumú fém kapuelektródát (HKMG) használ feszített szilícium és alacsony ellenállású, réz alapú ultra-low-k kötések (low-r) mellett. A vállalat a gyártáshoz 193 nm-es immerziós litográfiát fog alkalmazni. Érdekesség, hogy a TSMC az eddigi gyártástechnológiák bevezetéskor mindig az LP, azaz a low-power eljárást vezette be először, és kis idő múlva ezt követte a HP, vagyis a high-performance technológia. Az előbbi gyártósorokon az alacsony fogyasztású chipek vagy SoC lapkák készülnek, míg az utóbbi felel a nagyteljesítményű processzorokért. A hagyomány a 20 nm-en megváltozik, ugyanis a tervek szerint először a HP eljárás lesz bevethető.

A 20 nm-es HP technológia bevezetése természetesen még messze van. A TSMC elmondása szerint a tömegtermelés 2013 elején kezdődhet meg. Az LP eljárásra tervezett chipek várhatóan két hónappal később lesznek gyárthatóak.