Hirdetés
-
Érkezőben a Poco M6 4G
ma 5G-s és 4G-s Pro modell már van, hamarosan lesz Poco M6 4G-s alapváltozat is.
-
Gray Zone Warfare - Napokon belül kiderül, hogy mikor indul a korai hozzáférés
gp A jelentések szerint a zárt tesztek sikeresek voltak, hamarosan még többen belevethetik magukat a programba.
-
Rossz üzlet az EV-kölcsönzés
it Küszködik az EV-kölcsönzés miatt a Hertz Global, még több EV-t adnak el.
Új hozzászólás Aktív témák
-
Pingüino
senior tag
válasz gordonfreemN #27 üzenetére
Egyszerre tudja a kettőt. Ugyanakkora helykihasználás mellett a nagyobb tranzisztorsűrűség miatt nagyobb a teljesítmény, és még ezzel együtt is csökken a fogyasztás.
-
kisfurko
senior tag
válasz gordonfreemN #28 üzenetére
Ez az ábra nem teljesen ok, mert a legtöbb levilágításnál fémezés van, nem ion implantáció.
-
kisfurko
senior tag
válasz gordonfreemN #38 üzenetére
Az ábrán 30-40-szer ismétlik az implantációt, ami max. kétszer van (n-type, p-type CMOS-nál). A további levilágításoknál már csak oxid réteget növesztenek, aztán a sok sok réteg vezetékezés (ezt neveztem fémezésnek, nem tudom, miért ). Szóval az a bajom, hogy nincs 30-40-szer az ion implantálóban. Vagy a multi patterning miatt mégis? Azt hogy bírja ki a szubsztrát károsodás nélkül?
-
kisfurko
senior tag
válasz gordonfreemN #41 üzenetére
Én arra gondoltam, hogy hiába a maszk, azért az biztos nem véd 30-40 kör nagyenergiájú ion ellen. Vagy mégis?
Közben rájöttem, hogy hülye vagyok, és a többszöri maszkolásnak nincs köze a lépések számához, mert az még csak a fotoreziszt réteget befolyásolja.
Volt már vagy 20 éve, hogy elektronikából, meg választható tárgyként tanultam róla a BME-n. Még saját IC-m is van, ami már 6V-on nyit Sajnos, nem tudom, hol, mert azóta párszor költöztem.