Hirdetés

Tisztázta 3 és 4 nm-es terveit a Samsung

Valójában nem csúszik a 3 nm-es eljárás, csak az első node nem mindenkinek lesz hozzáférhető.

A hónap elején írtunk arról, hogy csúszik a 3 nm-es node bevezetésével a Samsung, és az Anandtech utánakérdezett annak, hogy mi várható, és a dél-koreai gyártó állítja, hogy jövőre elérhető lesz a 3 nm-es GAE node.

A valóságban azonban a fentieknél bonyolultabb a helyzet, ugyanis kétféle 3 nm-es, GAAFET tranzisztorstruktúrát használó node-ot fejleszt a cég. Előbb a 3GAE (3 nm gate-all-around early) érkezik, később pedig a 3GAP (3 nm gate-all-around plus). Na most a 3GAE eltűnt a cég friss útitervéből, amiből arra lehetett következtetni, hogy ennek a fejlesztésével le is álltak, de ez nem így van, a Samsung továbbra is készíti, és a 2022-es esztendőben meg is kezdik a gyártást rajta. Ez azonban leginkább házon belül lesz hasznos, mivel jó eséllyel a Samsung LSI divízión kívül senki más sem fog rá lapkát tervezni.


(forrás: AnandTech) [+]

A partnerek sokkal inkább a 3GAP node-ot veszik majd célba, aminél viszont a tömeggyártás valóban csak 2023-ban kezdődik meg, leginkább az esztendő vége felé.

A Samsung a 4 nm-es eljárásról is beszélt, amelyről még múlt év októberében írtunk. Az előzetes adatoknak megfelelően ez egy különálló fejlesztés, vagyis nem az 5 nm-es technológia half-node-ja, amely egyébként már eredetileg is a 7 nm half-node-jának számít. Lesz belőle LPE és LPP variáns, nyilván előbbi főleg házon belüli használatra készülhet. Ez lesz a vállalat utolsó FinFET tranzisztorstruktúrát használó eljárása, a tömeggyártás pedig az 4LPP node esetében 2022-ben kezdődhet meg.

Természetesen mindegyik új gyártástechnológia EUV litográfiát használ, ezen a szinten ez már elkerülhetetlen.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés