Hirdetés

Alaposan átnevezi a gyártástechnológiáit az Intel

A változással azonban egyetlen problémáját sem oldja meg a cég.

Még április elején merült fel az a híresztelés, hogy az Intel változtatna a gyártástechnológiáinak besorolásán, és ezt a vállalat most meg is lépte, ugyanis az Intel Accelerated előadás során bejelentették az új besorolási rendszerüket.


[+]

Az útiterven látható, hogy a 10 nm-es SuperFin eljárás lesz az utolsó, amelyre a vállalat egy nanométer elé írt számmal utal. A jövőben egyszerűen csak egy számot fognak megadni, és ennyi. A jelenlegi adatok szerint az Intel 7 egy 10 nm-es eljárás lesz, amelyet korábban Enhanced SuperFin jelzővel illettek, míg az Intel 4 a készülő 7 nm-es node új neve, és ezen a vállalat már beveti az EUV litográfiát.

Hirdetés

A későbbi eljárásokról kevesebb adat van, de az Intel 3-ról annyit lehet tudni, hogy a dizájnkönyvtár változik az Intel 4-hez viszonyítva, ami a tranzisztorok sűrűbb elhelyezését teszi lehetővé, viszont ez is marad 7 nm-es node.

Az első igazán komoly előrelépésnek a 2024-ben érkező Intel 20A tűnik, ugyanis itt váltja le a cég a FinFET tranzisztorstruktúrát. Ez az eljárás korábban 5 nm-esként volt említve, és bevezeti a RibbonFET-et. A megnevezés ismeretlennek tűnhet, de alapvetően egy GAAFET tranzisztorstruktúráról van szó. Utóbbinak több formája is lehet, viszont minden esetben a source és drain közötti, kikapcsolt állapotban jelentkező elektronszivárgás csökkentése a lényeg. Anno a FinFET is emiatt lett bevezetve: a mérnökök rájöttek arra, hogy ha a source és a drain kiemelkedik az alaprétegből a szigetelő fölé, akkor körbe tudják fogni a kapuelektródával. Ez azonban nem működik elég jól alacsonyabb csíkszélességen, és itt jön képbe a GAAFET, mivel ennél a megoldásnál a source és a drain közé nanohuzalok kerülnek, amiket teljesen közrefog a kapuelektróda, leszigetelve azokat. A GAAFET implementációk tekintetében az a kérdés, hogy ezek a nanohuzalok milyenek legyenek, és mennyi legyen belőlük. Utóbbi szempontból úgy néz ki, hogy a gyártók első körben három nanohuzalra szavaznak, de a számuk esetlegesen később növekedhet. A kialakítás tekintetében szintén több alternatíva létezik, mivel lehet alkalmazni konkrétan nanohuzalokat, vagy nanolapokat, esetleg nanoszalagokat. Technikailag ezek mind tekinthetők nanohuzalnak, a különbséget az adja, hogy miképpen vannak kialakítva. Például a nanolapok és a nanoszalagokat esetében szélességük némileg módosítható, ami bizonyos mértékű flexibilitást ad a dizájnok kialakításánál.

Az Intel a RibbonFET-tel három nanoszalagra építő GAAFET implementációra szavazott, ezt ráadásul még megspékeli a PowerVia technológia is. Utóbbi a tranzisztorok elhelyezésén változtat a tradicionális módszerhez viszonyítva. Mint ismeretes egy tipikus lapka több fémrétegből áll, a legalsó rétegen találhatók a tranzisztorok, a legfelsőn pedig a kivezetések, miközben a köztes rétegekbe a lapka egyes részeit összekötő vezetékezés, illetve az energiaellátás kerül. A PowerVia ezen annyit módosít, hogy a tranzisztorokat a középső rétegek egyikére helyezi, majd az egyik oldalon található rétegekbe kerül az energiaellátásért, míg a másikba a részegységek közötti a kommunikációért felelős vezetékezés. Ez egyébként egy általános fejlesztési irány a bérgyártóknál is az iparágon belül, csak az Intel adott neki egy marketingnevet.

Az Intel 20A után az Intel 18A következik, amelyről annyit tudni, hogy a készülő modernebb, úgynevezett High-NA EUV litográfiát alkalmazó berendezésekre épít. A korábbi útitervben egyébként ez is 5 nm-es node-nak számított.

Érdemes felfigyelni arra, hogy az Intel új besorolási rendszeréből eltűnt a nanométer. Mint ismeretes, ma lényegében az dönt a nanométer elé írt számról, hogy egy adott node az IRDS előírásait tekintve mire képes. Ez azt jelenti, hogy az Intel sem használhat akármilyen számot, de azt semmi sem tiltja, hogy az adott node-ot valahogyan elnevezzék. Folyókról, hegyekről, tavakról, vagy esetleg a cégnév után megadhatnak egy számjelzést, persze szigorúan nanométer nélkül. Mindez tisztán marketing, ahogy sokszor a nanométer elé írt számok is azok, még az IRDS előírásainak ellenére is. A gond azzal van, hogy az Intel ezzel a lépéssel nem csinált semmit. Továbbra is ugyanazok a termékek készülnek, és ugyanazok a gyártástechnológiai problémák sújtják a céget. Viszont a cukormázat lecserélték, talán így emészthetőbbé válik a helyzet a befektetőknek.

Az Intel ugyanakkor konkrétan azt ígéri, hogy a Intel 18A node 2025-ös bevezetésekor a gyártástechnológiai előnyük megkérdőjelezhetetlen lesz. Ebben egyébként bízhat a cég, kellően távoli időpontról van szó ahhoz, hogy lassacskán ledolgozhassák a hátrányukat, de így is mozgó célpontra lőnek, hiszen a TSMC és a Samsung is fejleszt.

Azt nem tudni, hogy az átnevezésekre hogyan reagál a TSMC és a Samsung. Akár bele is mehetnek egy ilyen marketingjátékba, és akkor elkezdődhetne az iparágon belül egy – rendkívül izgalmas – ki tud nagyobb hazudni verseny. Az Intel újra elmondhatná, hogy a TSMC-hez és a Samsunghoz viszonyítva régebben is másképp számozták a gyártástechnológiáikat, ami egy rém egyszerű marketingüzenet, de eközben szintén az Intel az a cég, amely gyakorlatilag tíz éve nem adja meg a processzorainak a tranzisztorszámát. Pedig utóbbi elég egyértelmű adat lenne a különböző gyártóknál készülő termékek összehasonlítására.

Hirdetés

  • Kapcsolódó cégek:
  • Intel

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés