A T-RAM Semiconductor és a GlobalFoundries bejelentette, hogy a Thyristor-RAM technológián alapuló memóriát közösen fejlesztik tovább. Az AMD korábbi gyárait használó chipgyártó szerint a jövőbeli T-RAM-ot használó termékek a 32, illetve a 22 nm-es gyártástechnológiával készülhetnek.
De mi is ez a T-RAM?
A számítógépekben használt memóriákat két nagy csoportra lehet felosztani: felejtő és nem felejtő. A két megoldás között a legnagyobb különbség, hogy az előbbi az információk tárolásához állandó áramellátást igényel, míg az utóbbi nem. Sebesség szempontjából természetesen a felejtő kategóriába sorolt termékek a gyorsabbak, így betölthetik az egyes processzorokban a beágyazott (gyorsítótár), illetve a lapkák mellett a fedélzeti memória szerepét. A T-RAM tulajdonképpen a chipek gyorstáraként használható fel, kiváltva a manapság használt SRAM technológiát.
Az SRAM technológiából manapság a legjobban a 6T-SRAM cellák alkalmazhatók, melyek hat tranzisztor segítségével tárolják el az egy bitnyi információt. A 6T-SRAM cellák jövőbeli helyzete azonban nem biztosított, mivel a T-RAM Semiconductor mérnökei szerint a 45 nm-es gyártástechnológia alatt a technika skálázhatósága csökken, így az új lapkák fejlesztési ideje megnő, ami anyagilag sincs jó hatással a projektre. Természetesen számos eltérő technológia próbálta már leváltani az SRAM-ot, de ezek a kísérletek a különböző teljesítménybeli, illetve az alkalmazott félvezető-eljárásokkal való kompatibilitási problémák miatt többnyire meghiúsultak.
T-RAM skálázhatósága a 6T-SRAM-hoz viszonyítva
A T-RAM azonban más. A fejlesztők szerint a Thyristor felépítésű kapukat használó technológia tökéletesen kompatibilis a jelenleg használt félvezető-eljárásokkal, és a teljesítménye is több mint kielégítő. Az NDR, azaz Negative Differential Resistance alapú memóriacellákra TCCT névvel utalnak a mérnökök. A működés szempontjából a kapu az áram hatására kinyit, és mindaddig nyitva marad, amíg az áram iránya meg nem változik, vagy az áramerősség egy meghatározott szint alá nem esik. A T-RAM memóriacellák sűrűsége is rendkívül biztató, az új technológiával kialakított gyorstár mérete akár 60-70%-kal is kisebb lehet a 6T-SRAM technológiára épülő rendszerhez viszonyítva, míg a teljesítmény közel azonos.
Bulk és SOI T-RAM cella
A T-RAM gyártható SOI és hagyományos (bulk) technológiával is. Egyelőre nincs hivatalos információ, hogy mely termékeken találkozunk majd az új T-RAM celákkal, de a GlobalFoundries-zal kötött fejlesztési és gyártási megállapodás várhatóan az AMD élénk érdeklődésének köszönhető.
