Az AMD, az IBM és a Toshiba előállt a világ legkisebb SRAM memóriacellájával, mely 0,128 μm² területével több mint 50 %-kal kisebb az eddigi 0.274 μm²-es rekorderhez képest. Az új cella FinFET tranzisztorokból épül fel, és 32 nm-es csíkszélességgel készül az IBM fém alapú kapuelektródákat és High-K dielektrikumú szigetelőréteget használó technológiájával.
Az FinFET tranzisztorok nagy előnye, hogy anélkül lehet csökkenteni az SRAM cellák méretét, hogy adalékanyagokat kellene használni a szilíciumhoz. Planáris tranzisztorok esetében ez komoly probléma volt, hiszen a kisebb SRAM cellák gyártásához más matériákkal kellett szennyezni a szilíciumot, hogy elérjék a kívánt elektromos vezetőképességet. Ez viszont rontotta az áramkörök stabilitását. Az IBM elmondása szerint a FinFET tranzisztor a 22 nm-es csíkszélesség esetében is jól használható a szilícium szennyezése nélkül.
Egy SRAM cella „madártávlatból”.
Az SRAM memóriacellákat elsősorban gyorsítótárnak lehet felhasználni a processzorokban. A kisebb méret gazdaságosabb gyártást, nagyobb sebességet és alacsonyabb hőtermelést tesz lehetővé. Az új memóriacellát használó termékek a 32 nm-es gyártástechnológia bevezetésével érkezhetnek valamikor 2010 vége felé.
